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企业动态（7月10日）
暂停供货 英特尔CPU有瑕疵
根据TrendForce集邦咨询7月10日消息，英特尔于2023年一季度量产的第四代至强可扩展处理器（代号Sapphire Rapids）传出瑕疵问题。
据了解，英特尔在Sapphire Rapids上使用了两种类型的底层设计，分别是四个计算模块创建单芯片的XCC，以及使用单芯片的MCC。前者用于36核心到60核心的芯片，后者用于32核心的芯片。MCC是 Sapphire Rapids产量最高的版本，出现该问题后，双路和四路型号已经暂停发货。受影响客户多半集中在企业端，故已先主动暂停SPR MCC SKU出货，其余20/ 24C以及36C（含）以上并未受到影响。
整体而言，DDR5导入率仍受客户端延长旧机种产品周期、延迟新机种导入的状况制约，TrendForce集邦咨询预估，今年Server DDR5导入率约13.4%。同时，预期DDR5导入比重超越DDR4的时间点将在2024年第三季底才会实现。
点评：
本次状况影响程度有限，由于Enterprise Server OEM普遍已延长旧平台的支援年限，2023年对SPR MCC采用状况已显著放缓，而上述特定型号CPU问题也恐会加深企业端客户的隐忧，进而降低采用SPR的意愿。此外，若以影响规模来看，第二季暂停出货的比重仅占Intel DP服务器CPU总量的1%以内，故实际对Intel服务器CPU出货表现的影响非常有限。
企业动态（7月12日）
英特尔宣布放弃NUC业务
英特尔发言人向外媒发布的声明中写道，决定停止对下一代计算单元 (NUC) 业务的直接投资，并调整战略，使生态系统合作伙伴能够继续NUC创新和增长。这一决定不会影响英特尔客户端计算事业部 (CCG) 或网络和边缘计算 (NEX) 业务的其余部分。
此外，英特尔给自己留有一线余地，其表示正在与合作伙伴和客户合作，确保顺利过渡并履行当前的所有承诺，包括对当前市场上的NUC产品的持续支持。这意味着英特尔仍然可以与合作伙伴合作，将NUC或类似NUC的产品推向市场，只是自己应该不再设计个人电脑。
事实上，英特尔的NUC最初在2012年设计并对外销售，它是一款紧凑且高度集成的计算设备，可以提供强大的性能和灵活的部署选择。与此同时，NUC通常采用英特尔的处理器和其他内部组件，如图形处理单元（GPU）、内存、存储和网络连接。
点评：
虽然英特尔并未在声明中具体言明停止NUC的具体原因，但是不少人猜测这是由于其财务困境带来的影响。今年4月，英特尔便决定将旗下负责设计规划服务器整机业务的数据中心解决方案事业部裁撤。与此同时，面向广泛的消费者层面，NUC 的实用性也并不强。要想购买英特尔的NUC，需要寻找经销商，其中许多是企业对企业经营的，并且准备好花费 1,000 美元以上的起售价购买一个近乎简陋的设备。因此，NUC被淘汰似乎也就不难理解，英特尔虽然也还有投资一些非处理器产品线，但是公司的未来重点仍押注在“IDM 2.0”战略。
企业动态（7月12日）
三星4nm良率突破75%
7月12日消息，据外媒报道称，三星电子于近日将其4nm工艺的良率提高到75%以上，这引发了人们对于三星扩大半导体代工客户的猜测。日前，Hi Investment & Securities研究员在一份报告中表示，三星电子近期成功地提高了4nm工艺的成品率，增加高通（Qualcomm）、英伟达（Nvidia）外包产能给三星晶圆代工事业的机率。
此前，三星电子代工厂曾经历过产品上市延迟以及10nm以下工艺良率提升缓慢的情况，导致主要客户纷纷转向台积电。结果，去年台积电的资本支出和产能分别是三星电子代工业务的3.4倍和3.3倍。在7nm以下的先进工艺方面，台积电的市场占有率达到了90%，进一步拉大了两公司之间的差距。随着三星电子今年4nm工艺成品率超过75%、3nm工艺成品率超过60%，再加上台积电涨价的影响，业界认为三星有望再次夺回被台积电抢走的客户。
点评：
迟迟未能提升良品率导致了三星主要客户先后转单到台积电，也许只有三星先进制程良品率提高并稳定，才能打破台积电一家独大的现状。市场需求处于低谷期，一定程度上是三星提高收益的机会，较低的开工率使其能够集中更多资源在先进工艺上。除了4nm工艺外，三星的3nm工艺在良品率方面也提升至60%以上，让三星更有信心夺回之前流向台积电的订单。由于台积电不断提高晶圆代工的价格，使得许多芯片设计公司重新考虑生产外包的多样化问题，也给了三星更多的机会。
市场动态（7月13日）
价格是DRAM的5倍 HBM争霸战开打
三星和SK海力士都希望他们的半导体业务能够通过HBM等大容量芯片容量的增加实现盈利。HBM芯片垂直互连多个DRAM芯片，与传统DRAM产品相比，可大幅提高数据处理速度，其价格至少是DRAM 的五倍。
在HBM DRAM领域，今年4月，SK表示已开发出全球12层HBM3 DRAM产品，内存容量为24GB，是出货量最大、最薄的。该公司已向客户提供样品，计划于今年年底开始批量生产。与此同时，三星计划在年底前开始大规模生产 HBM3 芯片。该公司高管表示，将斥资数千亿韩元，到2024年底将天安工厂的HBM3芯片制造能力提高一倍。据当地券商KB证券称，到2024年，HBM3将占据其芯片销售收入的18%，较今年预计的6%大幅提升。三星芯片负责业务的设备解决方案部门总裁表示，三星将努力控制一半以上的HBM市场。
点评：
随着数据的爆炸势增长，内存墙对于计算速度的影响愈发显现。为了减小内存墙的影响，提升内存带宽一直是存储芯片聚焦的关键问题。长期以来，内存行业的价值主张在很大程度上始终以系统级需求为导向，已经突破了系统性能的当前极限。很明显的一点是，内存性能的提升将出现拐点，越来越多人开始质疑是否能一直通过内存级的取舍来提高系统性能。
作为存储器市场的重要组成部分，DRAM技术不断地升级衍生。HBM作为高附加值 DRAM 产品，在高性能AI计算上，基本是唯一选择。为实现AI服务，能够高速传输数据的HBM内存芯片成为人工智能的必要配置，市场需求激增。
部分国内行业动态汇编
1、瀚天天成宣布量产8英寸碳化硅外延片
据报道 ，日前，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司宣布，已完成具有自主知识产权的8英寸碳化硅外延工艺的技术开发，正式具备国产8英寸碳化硅外延晶片量产能力。据悉，近期瀚天天成已签署多项长期合约，其中包括价值超过1.92亿美元的8英寸碳化硅外延晶片长期合约。
据了解，瀚天天成所生产的8英寸碳化硅外延晶片的质量达到国际先进水平，厚度不均匀性小于3%，浓度不均匀性小于6%，2mm*2mm管芯良率达到98%以上。该技术的突破标志着我国已经掌握商业化的8英寸碳化硅外延生长技术，进一步推进了碳化硅外延材料的国产化进程，极大地提升了我国在碳化硅外延领域的国际地位。
2、国产芯片卖一颗亏23万
近日，国内车载芯片创业公司黑芝麻智能向港交所递交上市申请材料，计划在港股主板挂牌。黑芝麻智能是仅有的两家实现量产上车的国产大算力芯片公司之一，其量产节奏和出货量仅次于地平线。据招股书披露的财务数据显示，黑芝麻智能在过去三年间的营收累计仅有 2.79 亿元，而亏损额则逐年攀升，合计达到 58.71 亿元。如果根据其 2.5 万片芯片的出货量计算，意味黑芝麻智能每卖一颗芯片，要亏损 23.48 万元。
据悉，黑芝麻智能旗下有华山、武当两个系列的产品。华山系列专注于自动驾驶，其中，A1000系列SoC已于2022年开启量产，截至当年末总出货量超过2.5万片。武当系列于2023年4月正式发布，专注于跨域计算，旗下C1200该芯片采用7nm制程技术，可覆盖智能座舱、智能驾驶等不同域的需求，预计今年内提供样片。
3、中国团队实现12英寸二维半导体晶圆批量制备
近日，《科学通报》以《模块化局域元素供应技术批量制备12英寸过渡金属硫族化合物》为题，在线发表了最新研究成果。该研究提出模块化局域元素供应生长技术，成功实现了半导体性二维过渡金属硫族化合物晶圆批量化高效制备，晶圆尺寸可从2英寸扩展至与现代半导体工艺兼容的12英寸。
二维半导体是一种新兴半导体材料，具有优异的物理化学性质，以单层过渡金属硫族化合物为代表。与传统半导体发展路线类似，晶圆材料是推动二维半导体技术迈向产业化的根基。如何实现批量化、大尺寸、低成本制备二维半导体晶圆是亟待解决的科学问题。
针对二维半导体晶圆的尺寸放大与批量制备核心科学问题，研究人员提出了一种全新的模块化局域元素供应生长策略，实现了二维半导体最大到12英寸晶圆的批量化制备。
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