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企业动态（4月15日）

三星即将引领闪存技术新潮流，量产290层V-NAND闪存

在半导体行业持续创新的浪潮中，三星电子再次站在了技术前沿。据韩国媒体报道，三星计划最早于4月开始量产业界领先的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片，这一技术突破标志着三星在闪存堆叠层数方面再次刷新业界记录。

此次即将量产的290层V-NAND闪存芯片，是三星继成功推出236层第八代V-NAND之后的又一重大进步。这一创新不仅提升了闪存的存储密度，更有望满足人工智能（AI）领域日益增长的数据存储需求。

业内专家分析，随着人工智能从“训练”阶段向“推理”阶段转变，对大数据处理能力的需求不断攀升，特别是在图像和视频处理方面。因此，大容量、高性能的闪存技术成为市场迫切需求的焦点。三星此次推出的290层V-NAND闪存芯片，正是针对这一市场需求而研发的。

点评：三星方面对新一代NAND闪存技术的量产充满期待。业界普遍认为，三星对于其NAND业务在第一季度的盈利持乐观态度，这进一步证明了三星在闪存技术领域的强大实力和市场竞争力。此外，三星电子在美国建设先进芯片工厂也有助于缓解美国对进口芯片的依赖，增强本土芯片供应链的安全性和稳定性。此举对于美国政府来说，也是推动国内半导体产业发展、提升国家竞争力的重要举措之一。

随着半导体技术的不断进步和应用领域的不断拓展，未来半导体市场的竞争将更加激烈。三星电子此次在美国的投资和生产布局，无疑将为其在全球半导体市场中占据更有利的地位，同时也将推动整个行业的持续发展和创新。

企业动态（4月17日）

海能达上诉成功，美国法院暂停执行产品禁售令，重启全球销售

海能达通信股份有限公司近日公告称，已就产品禁售令向美国第七巡回上诉法院提起上诉并成功获得暂停执行令。此举意味着海能达将能即刻恢复商业活动，重启相关产品销售。

此前，海能达与摩托罗拉因商业秘密及版权纠纷陷入诉讼，摩托罗拉指控海能达侵犯其权益。双方经过多轮博弈，摩托罗拉成功在美国法院获得禁售令。为应对此局面，海能达撤销了相关诉讼并暂停产品销售，同时积极申请撤销禁售令。

如今，上诉法院的暂停执行令为海能达带来转机。公司表示将立即重启全球销售，此举将有助于海能达重塑市场形象，应对激烈竞争。业界普遍认为，海能达将借此机会加强产品创新，推动半导体通信行业的持续发展。

点评：海能达作为一家在半导体通信领域具有重要地位的企业，此次事件的解决对其恢复正常运营和全球销售至关重要。业界专家普遍认为，上诉法院的暂停执行决定为海能达提供了宝贵的喘息之机，将有助于公司重新评估市场策略，加强产品创新，以应对日益激烈的国际竞争。 尽管案件后续进展仍存在不确定性，但海能达方面表示将继续采取各项应对措施，争取在最短时间内撤销相关判令。同时，公司也将加强与全球合作伙伴的紧密合作，共同应对市场挑战，推动半导体通信行业的持续发展和创新。

市场动态（4月18日）

英伟达盯上的芯片市场，台湾公司已经杀红眼

此前路透社曾报道，英伟达正在建立一个新的业务部门，专注于为云计算公司和其他公司设计定制芯片，其中包括先进的人工智能处理器。英伟达高管与亚马逊、Meta、微软、谷歌和OpenAI的代表会面，讨论为他们生产定制芯片的事宜。而博通和Marvell则是已经成名的定制芯片双雄，前者已经为谷歌定制了近10年的TPU，近来还与Meta达成了合作，为其生产定制化芯片，后者则是亚马逊的老牌合作伙伴，AWS的Trainium就是出自Marvell之手。

据研究公司650 Group的Alan Weckel估计，数据中心定制芯片市场今年将增长至100亿美元，到2025年将翻一番，而Needham分析师Charles Shi表示，到2023年，更广泛的定制芯片市场价值约为300亿美元，约占全球芯片年销售额的5%。

狭义上的百亿美元市场，广义上的三百亿美元市场，即便是万亿美元市值的英伟达也动了心，不难想象未来这一市场的激烈竞争情况。

点评：中国台湾为客户提供半导体设计支持的前三大公司的总销售额在四年内增长了两倍多，推动了美国科技产业的飞速发展，并为本土代工厂生产芯片创造了机会，不知不觉中，岛上刮起了一股定制芯片之风。所谓的半导体设计支持，即设计服务公司专门为家用电器、通讯和服务器等特定应用提供多品种、小批量的芯片，从设计、开发到商业化，工程师与客户密切合作，从而打造对应的定制化产品。

虽然博通、Marvell这样的巨头能提供多样化的设计服务，但台湾本土企业优势，是目前半导体供应链厂商集中在台湾，所谓近水楼台先得月，不论是芯片制造还是芯片封装，都可以在台湾岛内解决，本土企业也和代工封测企业有着千丝万缕的关系，这是美国硅谷难以比拟的，与靠近市场相比，靠近工厂源头让它们在定制芯片方面形成了自身的独到优势。

企业动态（4月19日）

SK海力士与台积电携手加强HBM技术领导力

两家公司致力于针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片（Base Die）进行性能改善。HBM是将多个DRAM裸片（Core Die）堆叠在基础裸片上，并通过TSV技术进行垂直连接而成。基础裸片也连接至GPU，起着对HBM进行控制的作用。

SK海力士AI Infra担当社长表示，通过与台积电的合作伙伴关系，未来不仅可以开发出最高性能的HBM4，还将积极拓展与全球客户的开放性合作（Open Collaboration）。今后，公司将提升客户定制化存储器平台（Custom Memory Platform）的竞争力，以巩固公司‘面向AI的存储器全方位供应商’的地位。

台积电业务开发和海外营运办公室资深副总经理暨副共同营运长表示，通过融合最先进的逻辑工艺和HBM产品，向市场提供全球领先的AI解决方案。相信通过密切合作提供最佳的整合产品，可以为开展新的AI创新成为关键推动力。

点评：SK海力士与台积电就HBM4研发和下一代封装技术合作签署谅解备忘录，通过采用台积电的先进制程工艺，提升HBM4产品性能，以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方合作的方式，突破面向AI应用的存储器性能极限，预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。

SK海力士以往的HBM产品，包括HBM3E（第五代HBM产品）都是基于公司自身制程工艺制造了基础裸片，但从HBM4产品开始计划采用台积电的先进逻辑（Logic）工艺。通过双方协力优化SK海力士的HBM产品，并融合台积电的CoWoS技术，共同应对HBM相关客户的要求。

国内部分企业动态

芯能半导体封装厂房完成交接，专注大功率模块封测（4月15日）

据芯能半导体官微消息，4月11日，芯能半导体合肥高端功率模块封装制造基地厂房交接仪式在合肥安巢经开区举行，本次交接项目为一栋三层半结构，约13000m²。

据悉，此次在合肥巢湖建设的高端功率模块封装制造基地，专注于大功率模块封测，主要建设10条IGBT、5条SiC MOS自动化生产线，产品应用于新能源汽车、太阳能和家电等行业，项目整体建成达产后，预计可实现年产480万只IGBT模块和60万只SiC MOS模块，年营收约15亿元。

该项目是芯能半导体战略布局的重要组成部分，也是提升核心竞争力的关键举措，将为其高端功率模块的产品提供强有力的制造、交付、品质保障。芯能半导体是一家专注从事功率半导体研发、生产、销售的国家级高新技术企业，总部位于深圳，产品主要应用于工业伺服电机驱动、变频家电、逆变器、电力系统、新能源汽车等。

国内首台大芯片先进封装专用光刻机交付入厂（4月16日）

据广州产投、越海集成官微消息，4月16日，由广东微技术工业研究院组织的“曝光时刻——3D异构芯片封装技术研讨会”暨国内首台大芯片先进封装专用光刻机交付入厂仪式在广州市增城区广东越海集成技术有限公司举行。

据悉，本次交付入厂的国内首台大芯片先进封装专用光刻机由星空科技自主研制，可以为Chiplet和2.5D/3D大芯片的集成制造提供光刻加工工艺，为助力国产人工智能大芯片集各种功能芯片之大成提供了有力的技术支撑。

而该台光刻机的接收方越海集成，是一家由兴橙资本、传感器集团联合中国本土经验最丰富的TSV晶圆级先进封装团队主要发起设立控股，并由广东省、广州市、增城区三级国资参股的先进封装企业，总部位于广州市增城经济技术开发区核心区，项目计划总投资约为人民币66亿元。

总投资约300亿元，重庆三安意法半导体项目预计8月投产（4月16日）

据西永微电园官微消息，相关负责人表示，三安意法半导体项目已实现主体结构封顶，正在进行室内装修和设备采购，预计今年8月将实现点亮投产，比原计划提前2个月。

据悉，三安意法半导体项目总投资约300亿元，全面整合了8吋车规级碳化硅的衬底、外延、芯片的研发制造，致力于建设技术先进的8英寸碳化硅衬底和晶圆工厂。

此前消息显示，该项目包括一家车规级功率芯片制造企业，以及为其提供碳化硅衬底的材料供应商。其中，车规级功率芯片制造企业，由国内化合物半导体龙头企业三安光电和国际半导体巨头意法半导体合资设立，规划总投资约32亿美元，达产后，每年能生产48万片8吋碳化硅车规级MOSFET功率芯片，主要应用在新能源汽车主驱逆变、充电桩和车载充电器上。