021-50368000
企业动态（2月20日）
三星和Arm，合作2nm
三星电子宣布，将与全球行动装置矽智财(IP)龙头安谋一同将次世代Cortex-A、Cortex-X通用处理器核心的设计，针对三星的次世代2纳米GAA制程最佳化。
20日新闻消息指出，三星即将问世的制程技术，是基于「环绕式闸极」(gate-all-around；GAA)架构的多桥通道场效电晶体(Multi-Bridge-Channel FET；MBCFET)。三星表示，双方联手将催生全新等级、支援生成式AI功能的系统单芯片(SoC)。
双方合作重点在将安谋Cortex-A、Cortex-X通用CPU核心，针对三星次世代2纳米制程最佳化。不过，两家公司并未揭露，安谋是否要为三星预计2025年问世的SF2制程或2026年要推的SF2P制程量身订制IP。安谋、三星表示，Cortex-A、Cortex-X核心将进行广泛应用，当中包括「次世代资料中心及基础建设客制芯片」、智能型手机，以及各式不同的小芯片(Chiplet)解决方案，这些应用都需要高效能的通用CPU核心。
点 评
跟当前广泛使用的「鳍式场效电晶体(FinFET)」电晶体不同，采GAA架构的电晶体可以不同方式微调，将效能、功耗及密度最佳化。三星、安谋这两家科技巨擘联手，我们预计这两个科技巨头之间的合作将取得令人鼓舞的成果。由于Arm和三星之间的合作，两家公司的客户将能够根据他们的定制设计需求，获得三星2nm优化版本的Cortex-A或Cortex-X内核的许可。这将简化开发流程并加快上市时间，这可能意味着我们可能很快就会看到三星为数据中心和邻近应用制造的2nm设计。不过，Arm和三星目前对何时向共同客户提供首批合作成果守口如瓶。但有消息称，三星的2纳米先进制程技术已经赢得首笔订单，客户为日本独角兽AI新创Preferred Networks (PFN)，将代工AI加速器等半导体。
02
企业动态（2月21日）
ISSCC 2024台积电：先进封装万亿晶体管！3nm即将车用
在ISSCC 2024上，台积电正式公布了其新的先进封装平台，该技术有望将晶体管数量从目前的1000亿提升到1万亿。台积电高级副总裁表示，该技术的开发是为了进一步提升高性能计算和人工智能芯片的性能，这可以通过添加更多高带宽内存和小芯片来实现。就目前而言，要添加更多HBM和小芯片，必须添加更多中介层和晶圆基板芯片，而这可能会导致互连和电源问题。台积电的新封装技术通过硅光子学，使用光纤而不是I/O来传输数据。
台积电表示，当今最先进的芯片可以容纳多达1000亿个晶体管，但新的先进封装平台技术可以将其增加到1万亿个晶体管。该封装中将采用集成稳压器来处理供电问题，但他并未提及该技术何时商业化。此外，台积电还提到3nm工艺很快就能应用于汽车，并分享了MRAM/RRAM技术的进展。
点 评
近年来，芯片制造商所面临的的技术和财务难题导致前沿工艺技术的发展节奏有所减缓。台积电亦面临与其他企业相似的挑战，即构建大型处理器的过程愈发繁琐且成本高昂，因此众多公司倾向于采用多芯片设计。此种趋势短期内将持续蔓延，预计在未来几年，市场上将出现由超过一万亿个晶体管组成的多芯片解决方案。然而，单片芯片的复杂性也将不断提升，单片处理器晶体管数量可达2000亿个的案例将变得愈发常见。台积电预计其封装技术将在2030年左右实现突破，使得公司有能力构建封装总量超过一万亿个晶体管的大规模多芯片解决方案，为全行业提供密度提升的契机。
03
企业动态（2月19日）
登补贴的首家晶圆厂揭晓：15亿美元给了格芯
美国政府向芯片制造商格芯提供15亿美元赠款，用于在纽约和佛蒙特州建设和扩建工厂，这是旨在重振国内芯片生产的计划中的第一个重大奖项。
格芯预计将15 亿美元分配给以下三个项目：
纽约州马耳他——新建最先进的300毫米晶圆厂：建设一座全新的大型300毫米制造设施，预计将生产美国目前尚不具备的高价值技术。利用现有基础设施加快从施工到生产的进程。
纽约马耳他——汽车产能扩张：拟议扩建纽约马耳他现有制造工厂，以确保关键半导体技术的专门供应，支持美国的经济和国家安全。此次扩建与新的300毫米制造设施相结合，预计在未来10多年内将使马耳他园区的现有产能增加两倍。一旦所有阶段完成，这两个项目预计将把晶圆产量增加到每年100万片。
佛蒙特州伯灵顿 ——工厂振兴：振兴佛蒙特州伯灵顿的现有制造工厂，将新的200毫米技术商业化，创建美国第一家能够大批量生产用于电动汽车的下一代硅基氮化镓的工厂、电网、5G和6G智能手机以及其他关键技术。
点 评
美国商务部计划在未来几周内向亚利桑那州、德克萨斯州、纽约州和俄亥俄州的半导体制造项目注资。英特尔、台积电、三星电子以及美光科技等芯片制造商已向政府提交申请，希望政府承担建设尖端工厂数十亿美元的部分费用。但鉴于联邦环境审查可能耗时数年，一些芯片制造商拟议的大规模项目可能面临许可难题。本次格芯的奖励取决于在达成最终协议之前完成的一轮尽职调查。随着项目实现建设和生产里程碑，资金将分阶段发放。这些拨款已谈判数月，成为530亿美元的《芯片法案》的核心部分。
04
企业动态（2月18日）
魅族宣布战略调整：停止传统智能手机业务开发，转向AI
2 月 18 日消息，魅族宣布 All in AI，将停止传统「智能手机」新项目，全力投入「明日设备」 AI For New Generations。魅族表示，经过两年的团队磨合、资源配置、产品布局以及相关技术的充分预研，魅族目前已具备向 AI 领域全面转型的能力。作为一家全面发展的科技生态公司，魅族拥有完善的研发和供应链等硬件团队，同时还拥有体系化开发、设计、交互的软件团队，这将为魅族 All in AI 提供坚实的技术支持和服务保障。
魅族同时公布了 AI 战略规划的详细内容，包括打造 AI Device 产品、重构 Flyme 系统和建设 AI 生态。按照规划，2024 年魅族面向 AI 时代全新打造的手机端操作系统将进行系统更新，构建起 AI 时代操作系统的基建能力；此外，魅族首款 AI Device 硬件产品也将在今年内正式发布，并与全球顶尖的 AI Device 厂商展开正面竞争。
点 评
如今，全球手机市场遭遇换机周期延长、创新空间有限、恶性竞争加剧的困境，手机行业正面临前所未有的挑战。硬件升级和参数竞争已不足以满足消费者日益丰富和全面的 使用需求和使用体验，行业迫切需要寻求新的可持续发展方向。魅族公司自成立之初立志于“消费电子全链路创新”，而后裁减芯片研发团队，直至近日决定放弃智能手机项目转而投注人工智能领域。作为一家成立不足一年的企业，星纪魅族在战略重点上的调整显得较为频繁。尽管魅族现已掌握Flyme AI，但在当前手机AI市场竞争激烈的背景下，魅族能否在这场“耗资之战”中脱颖而出，仍有待市场和消费者的检验。
05
国内部分企业动态
龙年首个产值超百亿项目落地！格科微电子增资扩产项目签约嘉善（02月20日）
2月20日，格科微电子增资扩产项目签约落户嘉善经济技术开发区，擂响了龙年招商引资的战鼓。格科微电子增资扩产项目包括封测制造中心二期等，主要建设CMOS图像传感芯片的封装和测试线、CIS的12英寸特色工艺封装生产线等，预计2026年建成投产，全面达产后预计年产值超100亿元。此次格科微的增资扩产，不单是产能的扩张，更是先进技术及工艺的提升。二期项目主要服务高像素图像传感器，将重点扩充高端传感器芯片测试产能及背磨、切割等先进工艺。
嘉善经济技术开发区管委会专职副主任介绍说，2017年1月格科微签约之时，开发区的集成电路产业基础几乎为零。而今，不仅格科微自身发展迅猛，嘉善基地年产值从1.4亿元跨越到41亿元，年均复合增长率95.7%，同时，也积极发挥“链主”作用，吸引投资超100亿元，带动引进了微针、荣耀等一批产业链配套项目。
三安意法半导体项目预计年内亮灯通线（02月20日）
作为重庆在半导体领域的又一旗舰项目，位于西部（重庆）科学城的三安意法半导体项目建设取得快速进展：项目主厂房已经封顶，正在进行室内装修和设备采购，预计年内亮灯通线，比原计划提前2个月。为帮助企业早建成早投产，相关部门组建专班，提供全流程服务保障。
三安意法半导体项目，包括一家专业从事碳化硅外延、芯片、研发、制造、销售的车规级功率芯片制造企业，以及为其提供碳化硅衬底的材料供应商。
该项目包括一家车规级功率芯片制造企业，以及为其提供碳化硅衬底的材料供应商。其中，车规级功率芯片制造企业，由国内化合物半导体龙头企业三安光电和国际半导体巨头意法半导体合资设立，规划总投资约32亿美元，达产后，每年能生产48万片8吋碳化硅车规级MOSFET功率芯片，在行业处于领先水平。
据了解，8吋碳化硅车规级MOSFET功率芯片目前在新能源汽车领域供不应求。为了帮助企业早建成早投产，重庆各级部门以及科学城组建专班，从项目的窗口指导到公司注册、设计和工程招标，提供了专业的服务保障，推动项目建设跑出了“加速度”。
沣东新城泰合迪芯电光晶体材料生产线正式投产（02月21日）
近日，西安泰合迪芯科技有限公司（简称：泰合迪芯）打造的电光晶体材料生产线正式投产，研发的大尺寸、高品质ZnTe晶体填补了我国在探测、成像领域核心材料的技术空白，又一项“卡脖子”技术迎来新突破。
据了解，泰合迪芯位于秦创原立体联动孵化器总基地，是依托西北工业大学凝固技术国家重点实验室、辐射探测材料与器件工信部重点实验室成立的科技型企业，致力于电光晶体材料、太赫兹系统、先进探测服务的研发和生产，产品可广泛应用于医疗成像、安全检查、质量监控等领域。
企业研发制备的晶体结晶质量和光电性能均处于国际先进水平，相关研究成果获授权国家发明专利15项，获得陕西省技术发明一等奖。开发的基于ZnTe晶体的太赫兹光谱和成像系统，已被国防科大、南京大学等20余家单位采用，实现了我国太赫兹时域光谱仪核心部件的国产化。
31019002000120
返回新闻列表