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壹周要闻 | 大半导体产业供应链动态
发布日期:2023-03-24


供需动态(320


库存飙升导致三星、SK海力士芯片业务亏损数十亿美金


韩国媒体报道,根据三星在319日提交给南韩金融监督院的申报文件,截至2022年第四季度,该公司整体库存资产达到52.2万亿韩元(约399亿美元),刷新历史新高,远高于2021年的41.4万亿韩元。其中,占三星总营收比重最高的半导体事业部,2022年第四季库存金额达29.1万亿韩元,相比2021年同期大幅增加约12.6万亿韩元。SK海力士陷于同样的问题,根据申报文件显示,其2022年第四季整体库存资产攀升至15.7万亿韩元(约120亿美元),同比增长75%。由于SK海力士业务主要专注于DRAMNAND Flash,这两项产品业务占到了其公司总营收的90%以上,因此在市况低迷时期受到更大打击。

PC DRAM和NAND Flash价格已跌到快接近成本。韩国券商KB Securities预测,2023年第一季,DRAMNAND Flash价格将分别出现19%18%的跌幅。根据FnGuide的数据,在芯片价格下跌及高库存的情况下,2023年第一季,三星和SK海力士的芯片业务预计将陷入亏损,其中,三星半导体事业部的营业亏损估计介于1.91兆至4.47万亿韩元(约14.6亿至34亿美元),而SK海力士为3.11万亿韩元(约23.7亿美元)。

根据TrendForce 316日发布的最新报告预测,2023年第一季,NAND Flash产业营收仍将季减8.1%。不过,受益于铠侠(KIOXIA)、美光(Micron)、西部数据(WD)、SK海力士等主要供应商相继减产,有助于缓解目前供给过剩的情况,带动NAND Flash均价跌幅收敛至10%-15%


点评:

存储市场具有明显的买方市场特性,因此行业情况主要受下游需求端的影响。从目前存储器的下游需求分布来看,手机、服务器和PC市场构成了存储行业近90%的需求。2020年全球新冠疫情爆发,居家需求猛涨PC、手机等电子设备出货量明显增长,对于存储的需求也同步增加,厂商开始扩产。但供不应求,2021年开始的缺芯潮又引发了众多厂商囤货备货、超额下单。但是,2022年之后,新冠的影响减弱,对居家办公的消费电子需求开始走弱,之前的存货积压过剩,已经扩产的厂商又停不下来,存储芯片变得供远大于求。

此外,由于存储市场呈现高度集中的情况,因此寡头们的动作可以对市场造成显著影响。一个大厂的的产能调整会迅速引起其他厂商“跟风”,加剧存储市场的产能过剩或者产能不足,也就导致了存储市场的强周期性波动。存储龙头既是存储周期的主要影响者,又是周期变化的共同承受者。



市场动态321


全球晶圆厂设备支出2023年放缓 有望在2024年复苏


美国加州时间2023321日,SEMI在其最新的季度《世界晶圆厂预测报告》中宣布,预计2023年全球晶圆厂设备支出将同比下降22%,从2022年的980亿美元的历史新高降至760亿美元,2024年将同比增长21%,恢复到920亿美元。

SEMI总裁表示,本季度的SEMI世界晶圆厂预测更新首次展望了2024年,突显了晶圆厂产能的全球稳步扩张,以支持未来半导体行业在汽车和计算领域以及一系列新兴应用驱动下的增长。报告指出,明年设备投资将健康增长21%

预计2024年,中国台湾将以249亿美元的投资额保持全球晶圆厂设备支出的领先地位,同比增长4.2%,其次是韩国,为210亿美元,同比增长41.5%。预计2024年中国大陆将在全球设备支出中排名第三,但美国的出口管制预计将把支出限制在160亿美元,与该地区2023年的投资相当。

预计美洲仍将是第四大支出地区,2024年投资额将达到创纪录的110亿美元,同比增长23.9%。预计欧洲和中东地区明年的投资也将创纪录,将增长36%达到82亿美元。2024年日本和东南亚的晶圆厂设备支出预计将分别增至70亿美元和30亿美元。


点评:

芯片需求疲弱,出口管制,消费和高库存,是影响今年晶圆厂设备支出自2022年的980亿美元高点滑落的主因。在未来的1-2年中,设备支出有望稳健回升,这主要得益于以下几个方面,(1)半导体库存去化将于2023年结束;(2)高性能计算和车用半导体需求不断增长驱动;(3)全球范围内的晶圆厂建设和扩产,(4)非先进制程范围的多赛道发展和回暖。

尤其值得一提的是,由于汽车市场的稳定增长,analogpower也将稳步扩张。同时,预计明年该板块的投资将保持平稳,并成为拉动半导体设备支出提升的中坚力量。



市场动态(322


英飞凌 持续投资碳化硅市场


英飞凌日前举办的2023年度媒体交流会上,作为第三代半导体材料之一的碳化硅成为热议话题。英飞凌拥有全面的车用半导体产品线,几乎涵盖了包括动力总成、ADAS/自动驾驶、底盘、车身、车载娱乐等在内的所有重要的汽车应用。2021年,特斯拉宣布在Model 3上搭载碳化硅功率器件。随后,碳化硅开启上车之路。在英飞凌看来,碳化硅拥有庞大的市场潜力,尤其是在新能源汽车快速普及的时代。

英飞凌科技全球高级副总裁表示,碳化硅能够显著提升新能源汽车的续航里程,或者在相同的续航里程下,大幅降低电池装机量和成本。因此,碳化硅正在越来越多地被用于牵引主逆变器、车载充电机OBC以及高低压DC-DC转换器中。碳化硅上车的产业化进程不断提速。同时汽车电子事业部大中华区负责人指出,在汽车领域,硅跟碳化硅在中长期一定是并存的。不过,英飞凌还是非常看好碳化硅的长期发展,而且行业在过去的两三年内也已经形成了基本的共识。基于此,英飞凌会持续关注和投入。

为应对日益激增的市场需求,英飞凌在持续投资扩大产能。例如,英飞凌去年宣布将在马来西亚居林工厂投资逾20亿欧元建造第三个厂区,扩大碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体的产能,新工厂计划于2024年投产。此外,该公司奥地利菲拉赫工厂将通过对现有硅设备进行改造等方式,将现有的150 毫米 和 200 毫米硅生产线转换为碳化硅和氮化镓生产线。预计到2027年,英飞凌的碳化硅产能将增长10倍。


点评:

 从半导体材料的发展前景来看,硅基半导体由于成本相对较低,仍将是许多应用的首选技术,而以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体,由于材料本身所具有的高频、高压、高功率等优势,适用于汽车,电源等工况复杂的领域,因此也具备庞大市场潜力。当前市面上提供碳化硅的主要半导体厂商包括意法半导体、英飞凌 、Wolfspeed、安森美及罗姆,近期各公司皆持续加码投资碳化硅晶圆和基板的新产能。以英飞凌为例,在未来十年内,计划将公司在碳化硅领域的市场份额提高到30%。这显著的体现了了对于该板块的看好。对于该板块供应链上下游的企业而言,也将迎来新的机遇。



企业动态(322


英伟达入局芯片制造 推进2纳米工艺


3月22日凌晨举行的GTC大会上,英伟达宣布与台积电、ASML、新思科技(Synopsys)三大半导体巨头合作,将英伟达加速运算技术用于芯片光刻中的计算光刻中,并推出用于计算光刻的软件库“cuLitho”。

英伟达创始人表示,光制造英伟达H100 GPU芯片就需要89块掩膜板,如果在CPU上运行时,处理单个掩膜板当前需要两周时间,但在GPU上运行cuLitho的情况下,仅需要8小时即可处理完一个掩膜板。通过GPU加速计算光刻过程,也可进一步降低能耗。台积电可以在500DGX H100系统上使用cuLitho加速,将功率从35兆瓦降至5兆瓦,替代原本使用计算光刻的4万台CPU服务器,进一步降低功耗。其中特别提及,cuLitho在台积电2纳米工艺中的使用。借助cuLitho,台积电可以缩短原型周期时间,提高晶圆产量,减少芯片制造过程中的能耗,并为2纳米及以上的生产做好准备。据悉台积电将于6月开始对cuLitho进行生产资格认证,并会在2024年对2纳米制程开始风险性试产,2025年开始量产。

为了准备cuLitho,英伟达与台积电、ASML、新思科技共同合作准备了4年,将计算光刻速率加速了40倍以上。英伟达先进技术副总裁表示,一些较老架构的GPU芯片也可以使用cuLitho软件库加速计算光刻进程,因此芯片生产商没有必要购买更新更贵的GPU。除了2纳米外,cuLitho软件库还可用于更旧的芯片制造工艺。cuLitho潜在的好处是可能降低光刻中掩膜板的使用量,进一步降低芯片生产成本。


点评:

此次英伟达的介入,为光刻行业带来了一场小的地震,光刻环节将变得更“卷”。随着芯片制程不断向着更先进的节点挺进,芯片上装载的晶体管数量提升,计算工作量增加,进一步增加了光刻的挑战。

通过将cuLitho软件库集成至台积电的制造流程中,并结合新思的EDA软件,ASML也计划将GPU支持整合到所有的计算光刻软件产品中。在几大芯片供应链巨头共同合作下,可推动半导体行业向更先进芯片制程进军,加速芯片上市时间,提高晶圆厂运行效率,以推动制造过程的大型数据中心的能源效率来改善芯片生产。当然,另一方面,这样的模式或者说赛道创新,无疑给正在追赶光刻工艺的国内产业人,带来了更多震撼和压力。



部分国内行业动态汇编


(1)聚焦人工智能大算力芯片研发 亿铸科技总部正式开业

据官方介绍,亿铸科技总部于318日在苏州高新区开业,定位于用存算一体架构设计AI大算力芯片,旨在解决当前AI大算力芯片存算的能耗高、部署难、算力提升空间有限的问题。

作为国内首家面向数据中心云计算、中心侧服务器等场景的存算一体AI大算力芯片企业,亿铸科技首次将ReRAM和存算一体架构相结合,通过全数字化的芯片设计思路,为业界提供大算力、高精度、超高能效比、易部署的AI大算力芯片。2023年初,以ChatGPT为代表的AI大模型对AI大算力芯片提出了更多挑战,亿铸科技首次提出了存算一体超异构架构的人工智能芯片发展思路,为我国人工智能大算力芯片的进一步发展提供了全新的技术发展路径。


(2)国内首条氮化硼纳米管产线启动 年产有望突破吨级

3月21日,宝山区的科创企业上海硼矩新材料科技有限公司研发的国内首家氮化硼纳米管产线正式启动。据了解,在全球范围内,目前仅有美国、澳大利亚、韩国的共4家企业成功取得氮化硼纳米管量产技术,产能仅达到公斤级别。较低的产能,使得氮化硼纳米管产品售价高昂,平均价格达到每克1000美元,也限制了这种复合材料的研发与应用。

公司技术团队以南京大学现代工程与应用科学学院国家级人才带队,由多名海内外博士组成,十多年来扎根氮化硼纳米管生长机制的科学研究与宏量生产的应用研究,实现了氮化硼纳米管的批量可控制备,填补了国内在该领域的技术空白,并降低成本。

氮化硼纳米管产线启动后,将实现规模化生产。通过对设备的集成化、大型化、进收料系统的升级改造,氮化硼纳米管的年产能有望突破吨级,将满足先进制造、半导体与清洁能源等领域复合材料的研发和大规模工业化使用要求。


(3)上海同芯构泛半导体真空腔体项目生产线开工

近日,上海同芯构技术有限公司的泛半导体真空腔体项目生产线在上海宝山正式开工。开工仪式上,上海同芯构技术有限公司揭牌开业,同时,泛半导体真空腔体项目生产线正式启动。作为一个完全由国内企业自主打造的,能够保障相关基础零部件供应和配套能力的生产线,同芯构的泛半导体真空腔体智能生产线可以解决产品本地化、国产化的需求。生产线开工投产后的产能将达到年产300套设备,下一步公司还会进行二期、三期的产线规划。

据了解,镀膜、沉积工艺为半导体集成电路、光伏和液晶面板制造的关键核心工艺,其工艺装备及其关键器件长期依赖进口,其中真空腔体本体、下部电极、均热基板等为镀膜、沉积、刻蚀工艺装备关键核心器件。空腔体、加热基座、散热基板等传统制造大多采用整体雕刻、螺接密封、钎焊/弧焊等老旧技术路线,存在成本高、成品率低、综合性能低、服役寿命有限、安全可靠性低等缺点。上海同芯构技术有限公司的项目团队通过核心技术研发与储备,创新采用绿色固相成型技术,攻克了传统技术路线制造过程存在的问题,现已掌握多项成熟技术,致力打破泛半导体真空腔体本体及器件等关键核心器件长期依赖国外进口的局面。

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