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企业动态（3月14日）
三星4纳米良率达60% 预计今年量产第三代4纳米抢市场
3月14日韩国媒体Business Korea报导，根据三星电子公布的《三星电子事业报告书》 显示，其将于2023年上半年开始量产第二代及第三代的4纳米制程，这是三星电子首次提及4纳米制程后续版本的具体量产时间。与4纳米制程的早期版本SF4E相比较，第二代和第三代产品表现出更好的性能、更低的功耗、以及更小的芯片面积。
在早期的SF4E工艺正式量产商用后，由于良率相对较低的问题，最终使得三星电子最大客户高通的后续骁龙旗舰处理器的订单都交给了台积电代工。但是，自从2022 年开始，三星的4纳米制程良率步入正轨后，产能也在逐步提升。根据市场人士估计，目前三星电子的4纳米制程良率达到60%。虽然，其良率数字还没有达到台积电已知的70-80%的水准。但市场人士表示，其良率正在快速提升，后续版本的量产也提升良率当中。
点 评：
虽然目前3纳米工艺是世界上最先进的半导体工艺，包括台积电也在冲击3纳米工艺，但4纳米和5纳米仍为时下主流工艺。三星依然主攻4纳米和5纳米工艺制，同时在3纳米工艺上继续精进，为后续工艺升级提供技术积累。
上一版本的4纳米芯片具有改进的性能和低功耗。但三星在管理芯片产量方面面临困难，因此错过客户和交易。因此，第三代4纳米芯片生产的改进对三星至关重要。为解决此问题，三星在美国德克萨斯州的工厂建设了一条 4纳米的生产线。由于技术进步以及性能和功耗的优化，三星解决4纳米芯片早期主要问题，因此稳定了整个工艺。通过这种方式，三星吸引大型商业客户，有助于公司提高芯片的产量。
供需动态（3月14日）
戴尔将在2025年启动“去中化”的计划
根据戴尔计划，预计从2025年开始，首先在中下游供应链中排除中国内地制造，并优先在美国内需市场上进行转变。这套方案中，无论是从上游IC采购到中下游周边再到整机组装，整套供应链去中化都有明确安排。早在今年1月，业内传出消息称，戴尔已通知供应链与代工厂，计划在2024年，完全停用中国大陆制造的芯片。此外，戴尔计划在2025年底前将50%的产能移出中国大陆。
在芯片IC零件采购方面，首先将不再采购中国内地IC厂商在中国内地晶圆厂生产的产品。第二阶段则不再采购中国芯片设计厂商在海外晶圆厂投片生产芯片。而桌面电脑、笔记本电脑与周边产品的供应链“去中国化”，则将自2025年启动，先以美国内需市场为主。计划2027年完成美国内销产品百分百“去中国化”。这意味着，2027年戴尔35～40％的产品都会在中国大陆以外地区生产。戴尔供应链中将首选美国本土的商家，而中国的生产企业则不会再纳入戴尔的供应链。
市调机构Gartner数据显示，戴尔去年桌面电脑与笔记本电脑总出货量逼近5,000万台，芯片采购总金额达180亿美元。即使在全球解封与经济不景气下，接下来两三年戴尔的PC全年出货量也有约4,700万台，各类芯片一年采购金额估达160亿美元以上，芯片采购去中化对芯片供应商的供应链转移影响有待观察。
点评：
戴尔撤出中国，主要是产能和供应链撤出国内，其产品还是会在国内销售。这会导致在未来，戴尔于国内售卖的产品多数由海外生产，供应链转移的行为将导致成本上升。可能消弱戴尔品牌在PC市场的竞争力，从而进一步影响戴尔的市场份额和出货量。对国内相关的供应商而言，短期来看，未来会失去一笔不小的订单。但是长期来看，戴尔空缺出的市场份额，会被其他厂商填补，重新产生订单。
政策动态（3月15日）
韩国抛出全球最大半导体集群计划 三星电子投2300亿美元支持
日经中文网等媒体3月15日报道，韩国政府周三表示，将在首都圈打造一个全球规模最大的半导体集群，这一蓝图包括创建一个能容纳巨型制造工厂、设计公司和材料供应商的半导体制造中心，旨在加强韩国本土的供应链。这项计划包括三星电子在内的韩国大企业。截至2026年，韩国将向包括芯片、电池、机器人、电动汽车和生物技术等领域投资550万亿韩元（约合4220亿美元）
三星电子证实，作为该计划的一部分，将在未来20年内投资近300万亿韩元（约合2290亿美元），在韩国京畿道龙仁市设立占地215万坪（约合710万平方米）的国家级工业综合体，搭建5条尖端半导体制造生产线，吸引多达150家材料、零部件和设备制造商、IC设计厂和半导体研发机构进驻。新园区将坐落在三星电子和SK海力士现有芯片厂以及多家零部件和设备厂附近，以便让韩国成为全世界最大半导体聚落。另外，三星电子及其子公司三星显示、三星SDI和三星电机称，计划在未来10年向首都圈以外的地区投资60.1万亿韩元，用于开发芯片封装、显示器和电池技术。
点评：
尽管当前，本国的半导体出货和营收处于不利局面，但是韩国仍坚持进行逆周期的大额投资和雄心勃勃的芯片产业布局以及扶持计划。从全球的宏观维度来看，也是各国重塑制造业供应链，尤其是削弱全球化，加强本土化的一个缩影。韩国政府在产业园的选址、研究开发、人力、税制等方面进行全方位支援。通过增加税收优惠和支持，来提高包括芯片、显示器和电池在内的高科技行业的国际竞争力，以推动韩国芯片产业的发展，在中长期，保持半导体全产业链的领先位置，并扩大市场份额。
企业动态（3月15日）
三菱电机斥资51.3亿新建8英寸SiC晶圆厂
三菱电机14日宣布将增产高效节能的碳化硅（SiC）功率半导体。该公司计划投资约1000亿日元，在熊本县菊池市的工厂建设新厂房。预计2026年度的晶圆产能将大幅增加，达到2022年度的5倍。三菱电机提出到2025年度将功率半导体销售额提高到2400亿日元、比2021年度增长34％的目标。
据悉，增加的投资约1000亿日元，其中大部分将用于建设新的8英寸SiC晶圆厂，并加强相关生产设施。新工厂将在熊本县石井地区拥有一个自有设施，将生产大直径8英寸SiC晶圆，并引入一个具有最先进能源效率和高自动化生产效率的洁净室。另外，三菱电机还将加强其6英寸SiC晶圆的生产设施，以满足该领域不断增长的需求。
此外，三菱电机将新投资约100亿日元用于新工厂，该工厂将整合目前分散在福冈地区的现有业务，用于功率半导体的组装和检测。集设计、开发、生产工艺验证一体化，这将大大增强该公司的开发能力，便于及时量产应对市场需求。剩下的200亿日元全部是新投资，将用于设备改进、环境安排和相关运营。
点 评：
伴随全球新能源汽车行业的稳步发展，包括了电机芯片在内的车规级别芯片，也迎来了稳健的需求提升，各个相关企业纷纷开启扩产行为。根据本文所述的计划，三菱电机也同时在细分市场需求，应对例如低能量损耗、高温运行或高速开关等不同要求，开发新的产品。
从进出口贸易角度来看，车规级芯片较多的使用成熟制程和配套设备，受到贸易管制影响较小，因此供应链关系和供应链相对稳定。在目前需求持续增加的背景下，产能成为最突出的瓶颈，供应不足仍将持续存在。
部分国内行业动态汇编
（1）可用于130nm工艺 国产高端光刻胶已量产
晶瑞电材3月13日在互动平台上表示，子公司瑞红（苏州）电子化学品股份有限公司的KrF光刻胶产品分辨率达到了0.25-0.13μm的技术要求，已通过部分重要客户的测试，取得了下游客户的认证。同时KrF高端光刻胶部分品种已量产。KrF光刻胶虽不属最先进的材料，但是能达到量产的水准，足以满足国内大部分晶圆厂商的需求。
作为芯片产业链的一环，光刻胶是由树脂，感光剂，溶剂，光引发剂等组成的混合液态感光材料。原理是利用光化学反应，经光刻工艺将所需要的微细图形转移到加工衬底上，来达到在晶圆上刻蚀出需的图形的目的。按照曝光波长不同，光刻胶可以分为G线，I线、KrF、ArF、以及EUV几种。
目前，高端光刻胶技术仍主要掌握在美国和日本。其中用于DUV（深紫外线光刻机）配套的是深紫外线光刻胶，而用于EUV光刻机配套的光刻胶则是极紫外线光刻胶。对于DUV来说，精度达到248纳米，即可被称为深紫外线光刻机。显然，瑞红（苏州）电子化学品股份有限公司的光刻胶能够取得250-130纳米的适用精度，已属高端光刻胶。
（2）华润微携手锐成芯微推0.153μm HD BCD工艺的eFlash IP
2023 年 3 月，华润微电子有限公司（“华润微”）旗下的无锡华润上华科技有限公司（“华润上华”）宣布，公司在 0.153μm HD BCD 工艺平台上实现了Logic eFlash嵌入式存储技术与 BCD 技术的结合，这在国内尚属首创。该工艺平台的eFlash采用了成都锐成芯微科技股份有限公司（“锐成芯微”）的 LogicFlash Pro专利技术。
华润上的0.153μm HD (High Density) BCD工艺平台采用基于数模混合工艺的BCD架构工艺。锐成芯微的LogicFlash Pro技术包括创新的存储单元架构、工艺实现方法和IP核。得益于该技术独特的实现方式，简化eFlash技术的光罩层数和工艺步骤。
基于华润上华的BCD工艺，该eFlash IP具有集成简便、可靠性高、兼容性广等特点，也让其可适用于家用电器、工业电子及汽车电子等多种高温环境和高可靠性场景下的应用，并且已展现优异的测试性能和结果。锐成芯微CEO表示，BCD工艺与eFlash的结合能有效满足产品对功耗效率、性能等级、兼容特性等的多重需求，并将模拟芯片和控制芯片合二为一，有效降低整体系统成本。
（3）8英寸 第四代半导体再突破 氧化镓研究获新进展
财联社3月14日电，日前，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。
与碳化硅、氮化镓等第三代半导体相比，氧化镓的禁带宽度远高于后两者，其禁带宽度达到4.9eV，高于碳化硅的3.25eV和氮化镓的3.4eV。从功率半导体特性来看，与前代半导体材料相比，氧化镓材料具备更高的击穿电场强度与更低的导通电阻，从而能量损耗更低，功率转换效率更高。相关统计数据显示，氧化镓的损耗理论上是硅的1/3000、碳化硅的1/6、氮化镓的1/3。团队负责人介绍，硅上氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓电路的直接集成。具有优异的耐高压与日盲紫外线光响应特性，在功率器件和光电领域应用潜力巨大。同时成本低，制备方法简便、便于批量生产，在产业化方面优势明显。
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