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政策动态（11月20日）

尽管受到美国限制，美光仍将采取务实的中国战略

在全球半导体产业格局中，美光科技作为全球领先的存储芯片制造商，其在中国市场的动态备受关注。尽管面临美国政府的限制和审查，美光科技依然展现出对中国市场的重视，并采取务实的战略以维持和深化在中国的业务。

美光科技在中国的投资和合作并未因美国的限制而停滞。据报道，美光计划投资逾43亿元人民币用于在华的一家工厂升级，彰显了对中国业务及中国团队坚定不移的承诺。此外，美光的西安工厂获得了零碳工厂（I型五星）证书和UL 2799废弃物零填埋金级验证，展现了其在绿色制造方面的成就。

美光科技持续推出新产品以满足中国市场的需求。例如，针对数据中心、汽车、智能边缘和移动设备等领域，美光推出了一系列涵盖DRAM、NAND及NOR的广泛高性能内存与存储产品组合。这些产品不仅助推客户实现更强的行业竞争力，也为数字中国的发展贡献了力量。

点评：美光科技在中国的战略体现了其对中国市场长期承诺和信心。尽管面临外部压力和挑战，美光通过持续的投资、技术创新和合规经营，展现出其适应市场变化和政策限制的灵活性和决心。这种务实的战略不仅有助于美光在中国市场的稳定发展，也为全球半导体供应链的稳定和多元化做出了贡献。美光的行动表明，尽管政治和贸易因素可能带来短期波动，但长期来看，市场需求和合作共赢的原则仍然是跨国企业战略决策的关键因素。

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企业动态（11月21日）

三星将于2025年逐步淘汰MLC NAND产能

近期，业界有传闻称三星电子计划在2025年逐步淘汰MLC NAND产能。据市场传言，三星可能从2024年底开始停止在现货市场销售MLC NAND，并预计于2025年6月正式停产。然而，三星官方对此做出了明确回应，强调这些传言并不准确，并表示未来将持续生产MLC NAND。尽管如此，供应链企业透露，为了避免供应中断，存储模组厂商已向三星提出最后采购需求，这进一步加剧了市场对三星停产MLC NAND的猜测。

MLC NAND（多层单元NAND闪存）因其较高的存储密度和相对较低的生产成本而受到市场的青睐。但随着技术的不断进步和市场需求的不断变化，MLC NAND在某些方面已逐渐显现出其局限性。随着3D NAND技术的成熟和大规模应用，其数据传输速度和功耗性能得到了显著提升，相比传统的MLC NAND，3D NAND具有更高的存储密度和更低的功耗，更能满足现代应用对于高性能存储的需求。

点评：三星对于MLC NAND产能的调整反映了存储技术市场的快速变化和公司的战略转型。尽管市场有关于停产MLC NAND的传闻，三星官方的否认表明公司仍在评估市场需求和技术发展，以做出合理的产能规划。这一决策可能与三星正在进行的重大人事改组和产品线调整有关，旨在优化管理结构，提高运营效率。

从技术发展的角度来看，随着3D NAND、TLC（三层单元NAND）和QLC（四层单元NAND）等新型存储技术的兴起，MLC NAND在市场上的竞争力逐渐减弱。这些新技术提供了更高的存储容量和更低的生产成本，满足了市场对于高性能和大容量存储解决方案的需求。

总体而言，三星的这一动态显示了公司对市场变化的快速响应和对技术趋势的适应。尽管MLC NAND可能面临产能调整，但三星承诺持续生产表明公司仍在寻找MLC NAND的市场定位，并可能通过技术创新和产品升级来维持其竞争力。同时，这也提醒其他NAND供应商需要加快技术创新和产品升级的步伐，以适应不断变化的市场需求。

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企业动态（11月22日）

格芯《芯片法案》补贴敲定，获15亿美元激励资金

美国商务部近日宣布，确认将向全球知名的半导体制造商格芯（GlobalFoundries）提供15亿美元的补贴，以支持其在美国的半导体扩产计划。这一决定体现了美国政府加强国内半导体制造业的决心，并是《CHIPS和科学法案》下的重要实践案例。

格芯将获得的15亿美元直接资助，将用于支持其在未来十年间实施总投资额达到130亿美元的扩产计划。这包括在纽约州马耳他地区新建一座大型12英寸晶圆厂，并扩建现有设施以提升车用半导体产能；同时，在佛蒙特州伯灵顿现有晶圆厂引入8英寸硅基氮化镓制造技术并建设大规模量产线。这些举措将创造数千个就业岗位，促进地方经济发展。

点评：格芯获得的15亿美元补贴是《CHIPS和科学法案》下的一个重要里程碑，标志着美国政府在推动国内半导体产业复兴方面迈出了实质性步伐。这不仅有助于格芯扩大在美国的产能，提升其在全球半导体供应链中的地位，也反映了美国在确保关键技术和供应链安全方面的战略考量。

此次投资行为体现了美国政府对于重塑本土高科技产业链的战略决心。一方面，通过增强本国企业在尖端技术方面的研发能力和生产规模，可以有效减少对外部供应链的依赖，保障国家安全利益；另一方面，则是希望通过培育更多具有竞争力的企业群体来激发整个行业的创新活力，进而维持其在全球范围内的长期竞争优势地位。然而，值得注意的是，在追求自给自足的过程中也需要警惕可能带来的负面影响。

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市场动态（11月22日）

EUV光刻机争夺战，风云突变

从早期的DUV（深紫外）光刻机到EUV光刻机，再到最新的高数值孔径（High-NA）EUV光刻机，技术的迭代不断推动着光刻精度的提升。特别是ASML的High-NA EUV光刻机，以其显著提升的晶体管密度和性能，成为实现2nm以下先进制程大规模量产的关键。

在这场争夺战中，英特尔率先向ASML订购了新型High-NA EUV设备EXE:5000，并在2023年12月拿下了全球首台High NA EUV光刻机。英特尔计划在其18A（1.8nm）和14A（1.4nm）节点上使用该技术，显示了其在先进光刻技术上的积极布局。

三星在掌握先进芯片制造技术方面面临挑战，其市场份额的下降凸显了在代工业务上的投资过多而未能获得足够客户和稳定生产工艺的问题。三星计划在2025年量产2nm制程，并逐步扩展到其他应用领域，显示了其在下一代光刻技术上的竞争意图。

作为半导体行业的领导者，台积电在面对竞争对手的压力时，采取了稳健的措施，不急于加入High-NA EUV设备的争夺，而是按照自己的节奏布局先进制程。最新消息显示，台积电预计将于今年年底从ASML接收首批High NA EUV光刻机，进一步巩固其在半导体制造领域的领先地位。

SK海力士也在不断加大对High-NA EUV技术开发的内部投入，积极扩大相关研发团队，预期将该技术应用于0a（个位数纳米）DRAM的规模化生产，以提升产品竞争力。

点评：EUV光刻机的争夺战不仅是技术的竞争，也是对未来市场主导权的争夺。随着全球半导体产业向更小制程节点的推进，High-NA EUV光刻机成为了实现这一目标的关键。英特尔、三星、台积电和SK海力士等半导体巨头的竞争态势，预示着半导体行业将迎来新一轮的技术革新和竞争高潮。

这场争夺战中，各家厂商的策略和行动将直接影响其在全球半导体产业链中的地位。英特尔的积极布局、三星的技术挑战、台积电的稳健步伐以及SK海力士的内部投入，都显示了各自对于维持和提升竞争力的决心。随着摩尔定律接近极限，2nm及以下工艺节点将成为芯片巨头们竞争的新战场。如何在这场竞争中保持技术领先和市场优势，将是这些半导体巨头需要面对的重要课题。

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国内（11月19日）

国内企业GPU，明年流片

11月19日，龙芯中科在互动平台表示，目前的计划中2024年没有产品发布，计划2025年发布3C6000系列服务器芯片。9A1000计划今年底代码冻结，明年交付流片。

据悉，龙芯中科服务器芯片是通用芯片，因为属于龙芯增量市场，在市场开拓初期会有所侧重，比如在存储服务器市场领域重点突破。目前在售的服务器芯片产品主要为 16 核的 3C5000 和 32 核的3D5000。下一代服务器芯片 3C6000 系列处于样片阶段，产品化过程中，16 核版本自测性能大致相当于至强 4314，32 核版本自测性能大致相当于至强 6338，64 核版本在封装估计年底前回来。预计2025 年 Q2 完成 3C6000 系列产品化并正式发布。因为龙芯自主研发，成本上有优势，预计相比相同性能的市面产品，龙芯 6000 系列产品在价格上会有一定优势。

龙芯中科GPU 的定位首先是与 CPU 形成自我配套，降低系统成本。目前在研的 9A1000 定位为入门级显卡以及终端的 AI 推理加速（32TOP），显卡性能对标 AMD RX550，预计 2024 年底或者春节前代码冻结，争取明年上半年流片。后续计划研制的 9A2000性能是 9A1000 的 8-10 倍。在此基础上使用更先进工艺，争取9A3000 实现跨越发展。

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国内（11月19日）

广东首家射频芯片代工厂！第一片晶圆成功下线！

近日，珠海华芯微电子有限公司（以下简称“华芯微电子”）首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通，并生产出第一片6寸2um砷化镓HBT晶圆，将于2025年上半年实现大规模量产。该晶圆具备高增益、高效能的特性，可应用于先进5G Phase 7/8手机功率放大器模组以及Wi-Fi 6/7等设备。

华芯微电子于2023年在珠海高新区成立，其格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目是广东省重点项目、珠海市产业立柱项目。该项目自开工建设以来，仅用184天便完成项目主体封顶，180天完成设备移入安装和二次配工程、90天完成设备调试和生产线通线。

格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目以化合物半导体晶圆代工技术创新主导，致力于打造具有国际领先水平的化合物半导体工艺平台，推出高品质、高良率的制程技术，全力协助国内企业实现射频芯片国产化制造，成为中国最大的射频晶圆代工厂，推动射频科技自立自强。

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国内（11月21日）

ST宣布华虹代工！

11月21日消息，意法半导体（ST）宣布与中国晶圆代工厂华虹半导体合作的新计划，将与华虹合作在中国生产40nm节点的MCU！意法半导体表示，它正在与中国第二大定制芯片制造商华虹合作，到2025年底在无锡生产40nm节点的MCU芯片。

意法半导体首席执行官在活动上表示，中国是电动汽车最大、最具创新性的电动汽车市场，对于意法而言不可或缺，而该企业不可能从外部进行充分竞争。意法半导体正在将从中国市场学到的最佳实践和技术应用于西方市场。意法半导体制造主管表示，选择直接中国生产的原因包括中国供应链的成本效益、兼容性问题，此举还可加速意法对中国电动汽车行业需求的响应，确保跟上中国企业的开发节奏。

路透社报道指出，此番言论，正值欧洲、美国和中国都要求在其当地进行更多芯片制造之际，与此同时，许多芯片厂商也一直在新加坡和马来西亚等地扩大业务，以服务于亚洲市场。对此，香港《南华早报》发表社论文章称，意法半导体在这一交易中表现出非凡远见和勇气，并未因美国所谓的那些“打压说辞”而忽视中国庞大的市场。