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企业动态(10月8日)
台积电用上英伟达计算光刻平台生产
AI芯片大厂英伟达强调同台积电在加速计算领域合作的成绩:其名为cuLitho的计算光刻平台正在台积电投入生产。英伟达表示,cuLitho将加速计算引入计算光刻领域,将cuLitho投入生产使台积电能够加快下一代芯片技术的开发,而目前的生产流程正接近物理学的极限。台积电应用cuLitho进行生产可以提高制造下一代先进半导体芯片的速度,并突破物理限制。
据官方介绍,cuLitho在GPU上运行时,性能比目前的光刻技术(在硅片上创建图案的过程)提高了40倍,加速了目前每年消耗数百亿CPU小时的海量计算工作负载,它使500个NVIDIA DGX H100系统能够实现40,000个CPU系统的工作,并行运行计算光刻过程的所有部分。英伟达开发的生成式AI算法进一步增强了cuLitho平台的能力,将光学邻近效应校正(OPC)流程的速度提高了两倍。
点评:
台积电采用英伟达的cuLitho计算光刻平台,这一合作标志着半导体制造领域的一项重大突破。通过引入加速计算,这一平台极大地提升了计算光刻的速度,从而加快了下一代先进半导体芯片的开发和生产。cuLitho平台利用英伟达的GPU,相较于传统的CPU方法,显著缩短了生产时间并降低了成本、空间要求和功耗。这项技术的应用不仅提高了光掩模的日产量,减少了能源消耗,还为半导体制造行业带来了新的计算能力和工程带宽,使得在开发更先进的技术节点时能够设计出更多创新的解决方案。总的来说,台积电使用英伟达的计算光刻平台,为半导体制造业的革新提速,推动了整个行业向更高效、更环保的方向发展。
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市场动态(10月8日)
印度:两年内造出第一款芯片
印度商业和工业部长近日表示,印度将在两年内制造出第一款芯片。印度政府正与多家国际半导体公司合作,以推动本土芯片制造产业的发展。
印度政府为了支持本土芯片制造业的发展,重新启动了100亿美元的印度半导体补贴计划,该计划最高可提供项目成本50%的奖励。这一激励措施已经吸引了包括美光和AMD在内的多家国际半导体公司在印度进行投资和扩张。美光计划在印度投资8.25亿美元建造新的半导体封装和测试设施,而AMD则在印度班加罗尔开设了其最大的全球设计中心“AMD Technostar”,专注于半导体技术的设计和开发。
此外,晶圆代工大厂力积电与印度塔塔集团合作,计划在印度古吉拉特邦多雷拉(Dholera)建设印度首座12英寸晶圆厂,总投资额将达110亿美元,预计月产能5万片,有望为当地创造超过2万个高科技工作机会。
点评:
印度政府的这一战略举措,旨在将印度打造成为以半导体为基础的全球电子制造中心。然而,印度在发展半导体产业的过程中也面临着一系列挑战。基础设施和资金缺口巨大,缺乏必要的配套产业,以及高科技产品制造经验和人才储备不足等问题都需要印度政府和企业共同努力解决。总体来看,印度的芯片制造计划是一个积极的信号,表明该国正努力提升其在全球半导体产业链中的地位。尽管挑战重重,但印度政府的支持和国际企业的参与为印度半导体产业的发展提供了强有力的推动。未来,随着技术的不断进步和市场的不断扩大,印度有望在全球半导体产业中扮演更加重要的角色。
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企业动态(10月10日)
Coherent(原II-VI)推出大尺寸SiC 衬底、外延片
Coherent(原II-VI)近期宣布推出其8英寸碳化硅(SiC)外延晶片,采用了尖端的厚度和掺杂均匀性设计,旨在树立新的行业标准,并支持生产高性能的SiC功率半导体。SiC材料业务部副总裁兼总经理Gary Ruland表示,这一先进技术不仅提升了SiC器件的质量,还满足了关键领域对8英寸碳化硅日益增长的需求。
SiC器件在电动和混合动力汽车、能源基础设施以及高功率电动汽车充电器中的电力转换扮演着至关重要的角色。随着晶圆直径从6英寸过渡到8英寸,制造商能够在每个晶圆上生产更多的器件,这有望提高生产率并降低SiC器件的成本,从而使广泛的应用受益。通过采用更大的晶圆,SiC器件制造商可以实现更高的产量和更高的成本效率,因为每个晶圆的可用面积增加了1.8倍。
点评:
Coherent(原II-VI)推出的8英寸SiC衬底和外延片是公司在碳化硅材料领域的重要进展,满足了市场对于更大尺寸、更高效率SiC材料的需求,为生产高性能SiC功率半导体提供了强有力的支持。
此外,Coherent的SiC业务获得了DENSO和三菱电机10亿美元的投资,这笔资金将用于支持其150毫米和200毫米衬底和外延晶圆的需求,进一步加速公司在SiC材料领域的扩张计划。这表明Coherent在SiC材料领域的领先地位得到了市场的认可,其技术实力和产品质量已经达到了国际领先水平。通过这些投资和合作,Coherent将能够进一步扩大其在SiC市场的份额,并推动整个行业的发展。
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市场动态(10月11日)
日本政府或对Rapidus 出资,用工厂换股票
日本政府正在考虑对本土半导体公司Rapidus进行出资,计划通过“实物出资”的方式,即用政府资金建设的工厂和设备来换取公司股票。这一策略旨在通过加强对Rapidus运营的参与和监督,为其提供长期支持。
目前,日本政府已通过新能源与产业技术综合开发机构(NEDO)决定投资9200亿日元(约合人民币436亿元)用于下一代半导体的研发。Rapidus正在北海道千岁市建设工厂,并计划在2025年4月启动试制生产线。由于是委托项目,工厂目前属于国家资产,Rapidus计划利用这些资产进行量产,最终需要从政府手中购买这些资产。政府的出资方案将采用提供不动产及有价证券、设备等的“实物出资”方式,具体的时期和金额将由经产省和财务省进一步磋商。此举不仅有助于Rapidus获得民间投融资,也可能加强政府对公司运营的监督和参与。
点评:
日本政府计划通过实物出资的方式,即用政府资金建设的工厂和设备来换取Rapidus公司的股票,以加强对该公司运营的参与和监督。此举不仅体现了日本政府对半导体产业的重视,也显示了其在确保国家安全和经济增长方面的战略考量。通过这种投资方式,日本政府旨在为Rapidus提供长期支持,确保其在2027年能够实现下一代半导体的量产目标。这种实物出资方式,将使得日本政府在Rapidus的经营中拥有更大的话语权,同时也能够确保政府在半导体这一战略物资的供应中保持一定的控制力。尽管向特定民间企业出资的妥当性可能会受到质疑,但这一策略无疑将加强日本在全球半导体产业中的竞争力和影响力。
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国内(10月8日)
投产!功率半导体项目迎新进展!
北一半导体科技(江苏)有限公司迎来了盛大的开业庆典,标志着其SSC&DSC模块生产线的正式投产。作为中韩港三方合资的先锋企业,北一半导体自2017年成立以来,便专注于新型功率半导体模块的研发、生产、销售及服务。
近年来,北一半导体海外市场拓展迅猛,已成功进入日韩、欧洲及中东市场。展望未来,公司计划在2024年与多家国际知名企业签订业务协议,进一步拓展其普通硅模块及SSC/DSC散热模块的市场份额。
在产能扩张方面,北一半导体同样取得了显著成果。江苏盐城功率器件项目于今年6月开工,总投资10亿元,预计年产半导体器件125万件,年销售额可达15亿元,税收贡献1.2亿元。同时,黑龙江穆棱晶圆工厂项目也于4月启动,总投资20亿元,将引入国外先进的6英寸晶圆生产线,预计年产6英寸晶圆100万片,年产值超10亿元。这两个项目的成功实施,将使北一半导体逐步发展成为国内领先的功率半导体IDM全产业链生产基地。
06
国内(10月9日)
联发科发布天玑9400,基于3nm制程
10月9日,联发科正式发布了新一代旗舰芯片——天玑9400。
据介绍,天玑9400是一款具有重大突破的 5G Agentic AI 处理器,为联发科第二代全大核设计。它结合了 Arm v9.2 CPU 架构、最先进的 GPU 和 NPU,并采用台积电第二代3nm制程,拥有高达291亿晶体管,数量比上一代天玑9300增加28%,成为安卓系统的第一款3nm芯片。
据悉,天玑9400 CPU部分采用1个主频高达3.62GHz的Cortex-X925超大核,3个Cortex-X4超大核和4个Cortex-A720大核。单核性能相较上一代提升35%,多核性能提升28%。采用PC级Armv9架构,二级缓存提升100%、三级缓存提升50%。率先支持10.7Gbps LPDDR5X内存,这也是目前已知全球最快手机内存,性能提升25%,能效降低25%。
GPU则是集成了旗舰级12核的Immortalis-G925,图形性能相比上一代天玑9300提升40%,功耗降低44%。首发3A级光追技术OMM超光影引擎(行业首发90fps、帧率提升50%、功耗降低10%),首发Arm精锐超分技术(功耗降低27%)。
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国内(10月10日)
富士康:正建设全球最大的NVIDIA超级芯片工厂
日前,在鸿海年度科技日上,富士康云企业解决方案业务部高级副总裁表示,公司正在建设世界上最大的英伟达GB200芯片制造工厂,以满足市场对Blackwell平台的巨大需求。
鸿海董事长在活动中表示,公司的供应链已为AI革命做好准备。鸿海是全球第一个出货英伟达GB200 AI芯片的公司,且不仅是芯片,AI的关键零部件、模块与板卡、服务器与机柜、高性能交换机,甚至AI数据中心,鸿海将成为首家量产并出货搭载这些超级芯片的公司。富士康的制造能力包括补充GB200服务器基础设施所需的先进液体冷却和散热技术。
此外,据英伟达官网显示,其与鸿海合作建设的Blackwell超级计算中心已在中国台湾省高雄市开工。项目基于Blackwell架构构建,并采用GB200 NVL72机柜,该平台总共包括64个机架和4608个Tensor Core GPU,其AI性能预计将超过90百亿亿次浮点运算,并成为全球最强大的超级计算机之一。项目的第一阶段预计将在2025年年中投运,于2026年完成全面部署。