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市场动态（8月27日）

SK海力士、三星：中国销售额大增

今年上半年，三星电子和SK海力士在华销售额较去年同期增长近一倍，扭转了因中美紧张局势和半导体行业低迷导致的三年下滑局面。这一增长主要归因于中国在美国可能实施制裁之前囤积用于人工智能 (AI) 开发的内存半导体，以及国内智能手机需求的复苏。TrendForce 报告称，对进一步出口限制的担忧正在推动海外芯片的购买量增加，尤其是用于人工智能的芯片。TrendForce 分析师 Tom Hsu 指出，第二季度的这一活动“对促进韩国供应商的 DRAM 销售至关重要”。

三星上半年在中国的营收达到32.3万亿韩元，较去年同期的17.8万亿韩元增长近一倍。尽管这一数字包括了智能手机和家电的销售额，但三星在华营收的90%以上来自半导体。中国市场在三星总销售额中的占比从21.7%跃升至30.8%。

SK海力士报告称，中国销售额大幅增长，收入达到8.6万亿韩元，比去年同期的3.8万亿韩元增长了一倍多。增长的动力来自中国智能手机制造商对低功耗内存半导体的强劲需求，以及DRAM和NAND内存价格的上涨。

点评：

由于担心美国加大对先进半导体出口的制裁，中国公司正在囤积三星和 SK 海力士的关键人工智能内存芯片，包括高带宽内存 (HBM)。销量激增之际，人们猜测华盛顿可能会进一步限制中国从美国及其盟友那里获得先进芯片和技术。不过，业内人士表示，目前运往中国的HBM都是HBM2E等老一代产品，而且数量有限。

展望未来，预计三星和 SK 海力士下半年在中国的销售额将继续增长。美国尚未对向中国出口内存半导体实施重大限制，因此两家公司都可以不受干扰地运营其中国生产设施。然而，有报道显示，这些公司将过时的半导体设备存放在仓库中，而不是将其出售给中国公司，可能是为了避免美国的潜在反弹。

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市场动态（8月27日）

日本芯片设备，再创新高

日本半导体设备协会（SEAJ）8月27日发布的数据显示，日本半导体制造设备销售额持续飙升，7月份销售额同比增长约20％，连续四个月实现两位数增长，1至7月销售额创历史新高。

这一上升趋势与日本芯片设备巨头东京电子（TEL）和国际半导体设备与材料国际组织（SEMI）的观察一致。东京电子（TEL）在8月8日的财报中宣布，由于对AI服务器的大力投资，2024年全球晶圆厂设备（WFE）市场规模从之前估计的约1000亿美元（同比增长5%）上调至1000亿美元以上。国际半导体设备与材料协会（SEMI）7月10日发布的预测报告预测，2024年全球芯片设备销售额预计将同比增长3.4%至1090亿美元，超过2022年创下的1074亿美元的纪录。

在美国对先进半导体设备和技术实施出口制裁的背景下，中国对日本半导体设备的需求快速增长。自2023年第三季度以来，日本对华出口占比连续三个季度保持在50%以上。2024年第一季度，日本半导体设备及零部件、平板显示设备对华出口额达5212亿日元（约合33.2亿美元），同比增长82%，创2007年以来最高水平。

点评：

日本半导体设备在全球占有重要地位，聚集了东京电子、爱德万测试、日立高科、尼康、迪思科等众多知名公司。随着AI热潮的兴起，业界认为日本半导体设备销售额将持续攀升。日本半导体设备协会（SEAJ）预测，日本半导体设备销售额有望在2024年首次突破4万亿日元，年增长率达15%，预计到2026年将突破5万亿日元。

中国担心日本或欧洲可能继续收紧对半导体设备的出口限制，因此加大对尚可采购的成熟工艺设备的采购力度，导致设备采购量超出实际需求。此外，中国正将半导体设备采购资源集中在不受出口管制的成熟工艺上，因此可以将更多资金投入不受管制的设备。另一个说明中国对半导体设备需求巨大的数据是国际半导体行业协会（ISIA）的数据。

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企业动态（8月29日）

Meta自研芯片，告吹

Meta 内部曾雄心勃勃地试图开发自己的定制芯片，用于不断扩展的可穿戴消费设备系列，但这一努力最终因公司持续控制成本而受挫。

去年，当 Meta 仍处于首席执行官兼联合创始人所称的“效率年”时，多年来对可穿戴眼镜计划生产线至关重要的计算机芯片的内部开发工作实际上已经结束。两位熟悉该公司和这些变化的人士告诉《财富》杂志，在公司大规模裁员和削减成本的背景下，定制芯片的开发被认为成本过高，而且对芯片的需求与当前的业务重点相差甚远。

一位消息人士称，Meta 并没有自行设计智能眼镜芯片，而是改变了方向，选择依赖高通等第三方芯片制造商来为其即将推出的原型机和潜在的 AR 眼镜未来版本提供芯片。虽然 Meta 仍在设计其他类型的芯片，例如用于在其数据中心运行 AI 工作负载的专用处理器，但该公司放弃可穿戴设备定制芯片标志着一个始于 2019 年的雄心勃勃的项目的结束。

点评：

尽管Meta放弃了自研AR芯片，但它并未完全退出芯片研发领域。Meta继续设计其他类型的芯片，其推出了专为AI训练和推理工作设计的定制芯片系列MTIA，并在2024年4月公布了MTIA的最新版本，该版本在性能上有显著提升，旨在降低对英伟达等芯片厂商的依赖 。

MTIA芯片是Meta长期计划的重要组成部分，公司希望通过投资于计算芯片、内存带宽、网络和容量以及其他下一代硬件系统，来实现对定制芯片的雄心 。新款MTIA芯片采用台积电的5nm工艺，拥有更多的处理核心和更大的片上内存，性能是上一代版本的三倍 。总的来说，虽然Meta在自研AR芯片项目上遭遇挫折，但它在AI芯片领域取得了进展，并通过推出新款MTIA芯片来增强其AI基础设施能力，减少对外部供应商的依赖 。

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政策动态（8月30日）

美国施压！荷兰拟禁ASML在华光刻机设备维护！

根据彭博社的报道，荷兰计划对中国实施一项新禁令，禁止半导体设备制造商ASML在中国进行设备维护，并停止提供相关备份零组件。报道引用知情人士的说法指出，荷兰首相领导的政府很可能不会在2024年年底到期后，为ASML在中国的某些维修和提供备份零件许可给予续约延长。这些维护与提供备份零件的相关许可中，包括了ASML出售的深紫外光光刻机（DUV）。

目前，ASML的半导体光刻机是业界最先进的半导体制造设备之一。其产品出售时附带的维护协议对于设备后续的正常运作至关重要。因此，如果ASML取消对中国的维护与提供备份零件许可，部分设备可能在2025年就不能正常工作。对于这一消息，ASML和荷兰外交部均拒绝发表评论。

报道表示，荷兰政府是在美国施加压力后作出的这一决定。拜登政府的一位高级官员表示，如果盟国不同意在对中国的半导体管制上与华盛顿保持一致，美国政府将考虑对伙伴国实施某些单边措施，包括采取外国直接产品规则（FDPR）。该规则允许美国控制使用美国原厂技术的外国产品的进一步交易。

点评：

禁止ASML在中国维修设备以及停止提供备用零件供应的举措，与ASML的美国同业企业，如应用材料等，面临着相同的禁令。此前，ASML决定不出口最先进的极紫外光光刻机（EUV）给中国半导体厂商，中国因此只能依靠ASML的DUV来推动其半导体制造技术的发展。

机器维护在半导体设备厂的日常运营中不可或缺。在这种情况下，ASML、应用材料等设备供应商通常都会派遣自己的工程师长时间驻扎在大客户运营的晶圆厂中，以便快速解决生产线上的问题。目前，ASML的一半销售金额来自中国。如果不能提供维护与备份零组件的服务，预计将减少相关营收，进一步冲击ASML的业绩表现。

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国内（8月27日）

日媒拆华为Pura 70手机：麒麟实力进一步提高

8月27日消息，据国外媒体报道称，日本半导体调查企业TechanaLye通过对华为手机拆解后发现，华为Pura 70 Pro的麒麟处理器面积为118.4平方毫米，台积电的5nm芯片则为107.8平方毫米，面积没有太大差异，处理性能也基本相同。虽然在良品率上存在差距，但性能上已经相差不多。也就是说处理器的线路线宽为7nm，但可以发挥与台积电的5nm相同的性能，所以海思半导体的设计能力也进一步提高（当然代工厂也同样提升不少）。

之前这家机构的拆解还显示，Pura 70 Pro除了存储芯片和传感器之外，还搭载了支撑摄像头、电源、显示屏功能的共37个半导体。其中，海思半导体承担14个，其他中国企业承担18个，从中国以外的芯片来看，只有韩国SK海力士的DRAM、德国博世的运动传感器等5个。实际上，86%的半导体产自中国。

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国内（8月27日）

小米自研芯片，传明年问世

中国智能手机制造商小米自研芯片据传将于明年问世，将采用台积电第二代四纳米制程。

综合网媒“快科技”和“IT之家”报道，小米旗下的集成电路设计公司玄戒研发的芯片预计明年上半年正式量产，预计这款芯片将采用台积电N4P（第二代四纳米）工艺制程。据报道，这款芯片性能数据与美国高通的骁龙8 Gen1相近，使用紫光展锐5G调制解调器。据台湾《经济日报》报道，虽然华盛顿限制华为等中国大陆企业委托台积电代工芯片制造，但小米未在限制名单之中，只是依然无法采用台积电的最先进制程。

台积电已规划在明年下半年量产最先进的两纳米制程，届时N4P制程已落后三代。报道称，从市场定位来看，如果小米自研处理器采用N4P制程，且性能达到高通骁龙8水准，那么这款芯片可能会用于小米／Redmi的中高端机型上。

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国内（8月29日）

总投资约300亿元，三安意法半导体项目已进入收尾阶段

据重庆新闻联播报道，近日，三安意法半导体项目已进入收尾阶段，衬底厂预计本月投产，比原计划提前2个月。

据悉，该项目总投资约300亿元，将建设一个技术先进的8英寸碳化硅衬底和晶圆工厂，全面整合了8吋车规级碳化硅的衬底、外延、芯片的研发制造，以及为其提供碳化硅衬底的材料供应商。项目达产后将建成全国首条8吋碳化硅衬底和晶圆制造线，具备年产48万片8吋碳化硅衬底、车规级MOSFET功率芯片的制造能力，预计营收将达170亿人民币。

此前消息显示，该项目包括一家车规级功率芯片制造企业，以及为其提供碳化硅衬底的材料供应商。其中，车规级功率芯片制造企业，由国内化合物半导体龙头企业三安光电和国际半导体巨头意法半导体合资设立，规划总投资约32亿美元，达产后，每年能生产48万片8吋碳化硅车规级MOSFET功率芯片，主要应用在新能源汽车主驱逆变、充电桩和车载充电器上。