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国内（8月14日）

华实半导体项目一期进入收尾阶段

据浏阳日报，华实半导体新材料研发及测试生产基地项目一期建设已进入收尾阶段。这个位于浏阳经开区的项目，总建筑面积约6.5万平方米，包括2栋生产厂房、1栋测试楼和1栋食堂，正在建设中的半导体新材料研发及测试生产线将填补国内在这一领域的产业空白 。目前，室内外装修、机电与消防设备调试等收尾工作正在有序进行，预计四季度可实现投产 。

一期项目建成投产后，达产可实现年产值约10亿元；二期建设8栋生产厂房、1栋食堂及倒班宿舍。项目全面建成投产后，预计年产值将达到20亿元人民币，年利税2亿元以上，并能为500人提供就业机会。华实半导体的成立和该项目的建设，标志着国内半导体新材料及专用设备产业的重要进展，将促进相关高科技领域的发展，并为地区经济增长提供新动力。

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国内（8月13日）

晶合集成发布2024半年报

8月13日，晶合集成发布了其2024年上半年度的财务报告，根据报告显示，公司在报告期内实现了营业收入43.98亿元，相比去年同期增长了48.09%。此外，归属于上市公司股东的净利润达到1.87亿元，成功实现了同比扭亏为盈的转变。这一成绩的取得，得益于公司产品销量的快速增长以及行业景气度的逐渐回升，特别是受益于人工智能和消费电子领域需求的回暖。

公司还特别强调，CIS（COMS图像传感器）已成为其第二大产品主轴，并且55纳米中高阶BSI（背照式）及堆栈式CIS芯片实现了大批量生产，CIS产品像素可达到5000万，已经成功进入中高阶手机市场。研发进展方面，晶合集成表示公司持续加大研发投入，聚焦核心技术。今年上半年，公司研发费用投入6.14亿元，同比增长22.27%，占公司营业收入的13.97%，新获得发明专利151项、实用新型专利36项。

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国内（8月12日）

湖北先导电子信息产业园一期项目预计10月试产

据湖北日报称，湖北先导电子信息产业园一期项目正在快速推进，目前35栋单体建筑已经拔地而起，部分厂房设备开始陆续进场。该项目预计在今年10月份开始试生产，这标志着荆州市在半导体材料领域的重大进展。一期项目的总投资额为40.5亿元，重点建设电子信息专用材料和稀有金属回收项目，整体项目预计年产值将达到60至70亿元，这将为荆州市经济高质量发展注入新的动能 。

先导科技集团作为全球稀散金属行业的领军企业，选择在荆州市投资建设湖北先导电子信息产业园，不仅因为荆州地理位置优越、化工原料丰富，还因为当地政府在要素保障、基金合作、助企解难等方面给予了大力支持 。项目的快速推进得益于地方政府和项目秘书的积极响应，为项目建设提供了重要保障 。随着一期项目的完工和试生产的开始，荆州市在半导体新材料产业的竞争力将得到显著提升。

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国内（8月13日）

芯德科技扬州晶圆级芯粒先进封装基地项目封顶

8月13日，芯德科技宣布扬州晶圆级芯粒先进封装基地项目于8月8日迎来了具有里程碑意义的重要时刻——主体结构顺利封顶。历经8个月的建设，扬州基地即将投入使用，专注于2.5D/3D等尖端先进封装技术，将显著增强公司在先进封装领域的市场竞争力。该工厂不仅代表了行业技术的最前沿，更将凭借高效的智能制造流程、精湛的工艺控制以及持续的技术创新能力，为公司开辟更广阔的市场空间。封顶仪式上，公司董事长张国栋强调将继续坚持创新驱动，提升技术水平，为客户提供更优质的产品和服务，为集成电路产业发展贡献力量。

江苏芯德半导体科技股份有限公司作为一家成长于南京本地致力于中高端封装测试的集成电路企业，目前可为客户提供Bumping、WLCSP、Flip Chip PKG、QFN、BGA、SIP、SIP-LGA、2.5D的封装产品设计和服务。

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企业动态（8月13日）

氮化镓外延厂瑞典企业SweGaN宣布已开始出货

瑞典企业SweGaN于8月13日宣布，其生产碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）晶圆的新工厂已开始出货，产品主要应用于下一代5G先进网络的高功率射频领域。这座位于瑞典林雪平的新工厂，自2023年3月动工以来，具备年产4万片4/6英寸碳化硅基氮化镓外延片的能力。SweGaN的这一举措标志着公司从无晶圆厂设计厂商向半导体制造商的正式转型 。

SweGaN的QuanFINE无缓冲区碳化硅基氮化镓材料，拥有专利技术，特别适合5G Advanced技术及国防应用中的高效率和热管理要求。上半年，SweGaN与多家未公开的电信和国防公司签订了重要供货协议，订单量翻倍，达到1700万瑞典克朗（约合人民币1158万元）。此外，SweGaN还完成了首个QuanFINE外延片的客户资格认证计划 。

随着新生产设施的投入使用，SweGaN将加强其在高性能半导体材料市场中的竞争地位，并有望进一步扩大生产规模和市场份额。

点评：

SweGaN的这一发展对全球半导体产业具有重要意义。氮化镓作为一种新型半导体材料，以其在高频、高效率和耐高温方面的优势，正逐渐成为5G通信和国防科技等领域的关键材料。SweGaN的出货不仅展示了公司在半导体制造领域的技术实力和市场竞争力，也体现了全球对于高性能氮化镓材料的迫切需求。随着5G技术的不断进步和国防等关键技术领域中的拓展应用，SweGaN的QuanFINE产品有望在未来的半导体市场中占据重要地位，推动相关行业的技术革新和产业升级。同时，这也为其他半导体制造商提供了宝贵的市场机遇和发展方向，预示着氮化镓材料将成为推动全球半导体产业发展的新引擎。

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企业动态（8月14日）

NEO Semiconductor公布3D X-AI芯片技术

NEO Semiconductor最近宣布推出了其突破性的3D X-AI™芯片，旨在替代现有的高带宽内存(HBM)芯片，并解决数据总线瓶颈问题。3D X-AI芯片的底部有一个神经元电路层，用于处理存储在同一芯片上的300个存储层中的数据。

3D X-AI技术通过在3D DRAM中实现AI处理，将神经网络性能提升了100倍，同时将功耗降低了99% 。这一创新技术允许AI数据存储和操作在内部进行，从而显著提高了AI的性能并减少了功耗。3D X-AI芯片的容量可达192GB，并支持每芯片120TB/s的AI处理吞吐量。

NEO Semiconductor的3D X-AI™技术在2024年的FMS（存储和内存的未来）会议上获得了“最佳展示”奖项，被评为最具创新性的人工智能(AI)应用 。该公司的这一技术通过在3D存储器中模拟人工神经网络，包括用于权重数据存储的突触和用于数据处理的神经元，非常适合加速下一代AI芯片和应用。

点评：

NEO Semiconductor的3D X-AI™芯片技术是半导体行业的一次重大突破，它不仅解决了现有AI芯片在数据传输过程中的性能瓶颈问题，而且通过将数据处理功能集成到存储芯片中，极大地提高了能效比。这种内存与计算一体化的设计理念，预示着未来AI芯片设计的新方向，有望彻底改变人工智能芯片的性能、功耗和成本。随着AI技术的不断进步和应用领域的不断拓展，3D X-AI™芯片的问世，将为高性能计算、自动驾驶、智能物联网等众多领域带来深远的影响。总体来看，NEO Semiconductor的3D X-AI芯片技术代表了AI硬件发展的一个重要里程碑，为未来AI技术的广泛应用和创新铺平了道路。

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企业动态（8月13日）

AMD完成对 Silo AI 的收购

AMD于2024年8月12日宣布完成了对欧洲最大的私人AI实验室Silo AI的收购，交易价值约为6.65亿美元。

这次全现金交易在软件功能方面，进一步巩固了AMD提供基于开放标准的端到端AI解决方案的承诺，增强AMD软件性能，这包括允许定制 AI 解决方案的高级工具和模块化软件组件，以及用于大规模部署、优化和操作 AI 模型的功能。缩小与竞争对手英伟达的差距，并与全球AI生态系统建立了强大的合作伙伴关系。在服务层方面，通过收购 Silo AI，AMD 获得了MLOps 功能，可以为客户提供从 AI 实验到可扩展生产模型的简化路径。

Silo AI的加入为AMD带来了世界级的AI科学家和工程师团队，他们在为包括安联、飞利浦、劳斯莱斯和联合利华等大型企业客户开发尖端AI模型、平台和解决方案方面拥有丰富经验。

点评：

AMD对Silo AI的收购标志着其在AI领域的深入布局，显示出公司将AI视作其首要战略重点的决心。通过这次收购，AMD不仅扩大了其AI领域的专业人才库，还获得了开发和部署大型语言模型的能力，这些模型已经在AMD的Instinct加速器上进行了大规模训练。

预期Silo AI的专业知识和软件能力将直接提升AMD平台上客户体验，提供高性能的AI解决方案。此外，Silo AI在开源多语言大型语言模型（LLMs）方面的专长，将有助于AMD在AI硬件和软件协同发展上迈出重要步伐，进一步推动其在全球AI生态系统中的领导地位。此次收购使 AMD 能够更有效地与英伟达竞争，逐渐缩小在综合 AI 解决方案方面的差距。

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供需动态（8月11日）

韩国对台存储芯片出口大增

据韩联社报道，随着全球人工智能（AI）加速器核心零部件——高带宽内存（HBM）市场迅猛增长，韩国对台湾地区出口的存储芯片规模随之增加。

韩国产业通商资源部和韩国贸易协会11日称，今年上半年韩国对台存储芯片出口额为42.6亿美元，同比大增225.7%，这一增幅远高于韩国整体存储芯片出口额的增幅（88.7%）。自2018年以来，台湾一直是韩国第五大存储芯片出口目的地，但在2024年上半年上升为第三大出口目的地。这一增长主要得益于全球人工智能（AI）加速器核心零部件——高带宽内存（HBM）市场的迅猛增长。SK海力士向英伟达供应HBM，可能与这一出口增量有较大关联。英伟达委托台积电生产AI加速器的图形处理器（GPU），而台积电在台封装厂将此前生产的GPU和SK海力士与美光科技生产的HBM一同封装后再向英伟达供应。

点评：

业界分析认为，随着AI产业的发展，半导体供应链发生了变化，从而推动了韩国对台存储芯片出口的增加。韩国对台湾地区存储芯片出口的大幅增长，反映出全球AI技术快速发展对高性能存储芯片需求的增加。HBM作为AI加速器的核心零部件，其市场需求的增长直接推动了韩国存储芯片的出口。此外，韩国半导体企业如SK海力士在全球HBM市场的主导地位，进一步凸显了韩国在全球半导体供应链中的重要性。这一趋势也可能表明，随着AI技术的不断进步和应用领域的拓展，未来对高性能存储芯片的需求将持续增长，为韩国半导体产业带来新的增长机遇。

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企业动态（8月13日）

台积电通过296亿美元资本预算，应对长期产能规划

8月13日台积电董事会近召开会议，批准了2024年第二季度业务报告及财务报表，并通过了两项预算议案。

会议核准第二季度台积电合并营收6735亿元新台币，净利润为2478亿元新台币，每股盈余9.56元新台币，并同意派发2024年第二季每股4元新台币现金股息。

为满足基于市场需求预测及台积电技术发展路线图的长期产能规划，核准了一项高达296亿美元的资本预算。这笔资金将主要用于建设及升级先进制程产能，同时也将用于先进封装、成熟及特殊制程产能的建设与升级，以及相关厂房和厂务设施工程的兴建。

此外，董事会还批准了对台积电全资子公司TSMC Arizona的增资计划，额度不超过75亿美元，以支持在美国亚利桑那州建设运营的先进制程晶圆厂。但自2020年5月首次宣布赴美设厂以来，4年时间，台积电亚利桑那厂还未产出任何半导体产品。

点评：

台积电此次通过的巨额资本预算显示了公司对未来市场需求的积极预期及对先进制程技术的持续投入。在全球半导体产业竞争加剧的背景下，这样的投资有助于台积电保持其技术领先优势和市场竞争力。台积电这一决策不仅展示了台积电对维持其在全球半导体制造领域领先地位的承诺，也反映了对美国市场及当地供应链的长期投资和信心。尽管台积电在美国亚利桑那的投资面临诸多挑战，包括文化差异、劳动力竞争和政治风险等，但公司依然决定继续推进其在美国的扩张计划，这可能与其对美国芯片法案下潜在市场机会的评估有关。