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壹周要闻 | 大半导体产业供应链动态
发布日期:2024-06-11

政策动态(6月6日)


沙特打造“中东硅谷”力推半导体产业发展

近日,沙特阿拉伯宣布成立国家半导体中心,标志着该国在推动经济多元化、减少对原油依赖的道路上迈出了坚实一步。据悉,该中心旨在扶持设计新型芯片的无晶圆厂芯片公司,计划到2030年吸引至少50家此类企业入驻。

国家半导体中心的成立,凸显了半导体行业对沙特经济发展的重要性。中心负责人、明确表示,他们的目标并非挑战行业巨头如英伟达或英特尔,而是从基础芯片设计做起,逐步建立稳固的根基。沙特政府为此提供了丰厚的激励措施,包括免费场地、薪酬补贴等,以吸引国内外企业入驻。

沙特王储一直致力于开拓新兴产业,以增加非石油收入。在此背景下,国家半导体中心的成立可谓顺势而为,不仅有助于提升沙特在科技领域的地位,也为该国的经济转型提供了强有力的支持。

据了解,沙特政府还通过其主权财富基金旗下的投资公司Alat,计划到2030年生产100万片晶圆,预计产生约100亿美元的收入。

点评:

沙特阿拉伯成立国家半导体中心,是其经济转型战略的重要组成部分。沙特的这一举措非常具有前瞻性。随着全球半导体市场的不断扩大,中东地区有可能成为新的产业增长点。沙特通过成立国家半导体中心,不仅为本国经济发展注入了新动力,也为地区内的科技产业发展树立了标杆。通过吸引无晶圆厂芯片公司入驻,沙特不仅能够推动本国半导体产业的发展,还有望在中东地区形成一个新的科技产业中心。政府的大力支持和丰厚的激励政策,无疑为这一产业的快速发展提供了有力保障。然而,半导体产业是一个技术密集型产业,沙特在人才培养、技术研发等方面还需持续投入,以确保这一产业的长期稳定发展。总体来看,沙特的这一举措值得肯定,但未来的发展之路仍然任重而道远。


企业动态(6月6日)


黄仁勋确认三星HBM3e认证受阻,否认与功耗散热相关

2024年6月6日 - 在近日台北国际电脑展的媒体见面会上,英伟达(NVIDIA)CEO公开披露,三星研发的高带宽内存(HBM)芯片尚未获得英伟达的官方认证。英伟达认证是三星向市场供应HBM3和HBM3e芯片的必要前提,这一环节对于英伟达在人工智能(AI)领域的发展具有举足轻重的作用。

此前业界曾有传言,三星的新型HBM模块由于过热和功耗问题而未能通过英伟达的严格测试。三星公司随后驳斥了这些关于其HBM产品存在过热和功耗过高的指责,并坚称最先进的HBM3e产品的研发进展顺利。

最新回应中,他明确指出,三星的HBM产品尚未通过任何形式的认证,因此这些产品还未完全进入市场部署阶段。“我们还需要进行工程设计的工作,目前这还没完成。

点评:

作为全球领先的内存芯片制造商,三星已宣布开始量产8层堆叠的HBM3e产品,并计划很快推出12层堆叠的版本。预计2024年HBM的供应量将比2023年至少增加三倍,这一增产计划显示出三星在内存技术方面的雄心及其对市场需求的积极响应。


尽管三星在HBM技术上面临一些挑战,但其在内存市场的长期领先地位和持续的创新投入,使其有望在不久的将来迎头赶上。此外,随着人工智能和大数据应用的不断深化,高带宽内存技术的需求将持续增长,市场竞争也将进一步加剧。

在此背景下,三星和SK海力士等内存制造商的技术进步和产能扩张,将对整个集成电路行业的发展产生深远影响。而英伟达等芯片使用大户的认证标准,也将成为推动行业技术进步和产品质量提升的重要力量。


企业动态(6月3日)


美光在HBM内存领域崛起,对韩厂构成威胁

近日,据韩媒ETNews报道,美光科技凭借出色的能效表现,正在HBM(高带宽内存)市场上迅速崛起,对传统的韩国存储巨头SK海力士和三星电子构成不小的威胁。

在过去,美光在HBM领域并不占据优势地位。然而,公司在2022年做出了一个明智的决策,即放弃HBM3的量产计划,转而将研发重心放在更先进的HBM3E内存上。这一战略调整为美光带来了巨大的成功。据悉,美光已经获得了HBM最大需求方英伟达的订单,并开始向其H200 AI GPU供应HBM3E内存。

美光HBM3E内存的一大亮点在于其卓越的能效。据美光宣称,其采用8Hi堆叠的24GB HBM3E内存,在功耗上比竞争对手的产品低30%。在AI技术高歌猛进的当下,低功耗技术显得尤为重要。它不仅能有效降低系统的发热量和用电量,还能减少散热设备的需求,进而降低AI数据中心的总体拥有成本(TCO)。

值得一提的是,美光在扩大产能方面也取得了显著进展。根据市场研究机构TrendForce的报告,美光在2023年底的HBM产能仅占整体市场的3.2%。然而,预计到2024年底,美光的HBM产能将大幅提升至每月20000片晶圆,市场占有率也将跃升至11.4%。


点评:

展望未来,美光在HBM领域的发展潜力不容小觑。据悉,公司已完成单堆栈容量为36GB的12Hi HBM3E内存的采样工作,并计划在2025年实现大规模量产。同时,美光还着眼于更远的HBM4时代,计划在2025年下半年开始HBM4内存的开发工作,而HBM4E的开发则预计在2028年完成。

美光在HBM内存领域的异军突起,不仅彰显了其技术实力和战略眼光,也为整个集成电路行业带来了新的竞争格局。随着AI技术的不断进步,高性能内存的需求将持续增长。美光凭借其能效优势和不断扩大的产能,有望在未来几年内进一步巩固其在HBM市场的领先地位。


企业动态(6月5日)


英特尔出售爱尔兰工厂49%股权,筹资110亿美元推动战略转型

近日,全球知名的半导体巨头英特尔宣布,已与阿波罗公司达成重要协议,以110亿美元的价格出售其位于爱尔兰的Fab 34工厂相关合资企业49%的股份。这一重大举措旨在筹集资金,以支持英特尔在全球范围内的战略转型和持续扩张。

据悉,Fab 34工厂是英特尔在爱尔兰莱克斯利普建立的一座重要的大批量制造工厂,该工厂采用先进的Intel 4和Intel 3工艺技术,专为高性能晶圆而设计。自建设以来,英特尔已向该工厂累计投资高达184亿美元,彰显了其对技术创新和产能提升的坚定承诺。

此次交易的完成不仅为英特尔带来了可观的资金回流,更为其在全球半导体市场的进一步布局提供了强有力的支持。英特尔明确表示,将继续持有合资企业51%的控股权,并保留对Fab 34工厂及其资产的全部所有权和运营控制权。这意味着,尽管部分股权发生变更,但英特尔对工厂的主导地位并未动摇。


点评:

Fab 34工厂的建设已基本完成,并已于去年9月开始大批量生产采用Intel 4技术的英特尔酷睿超标处理器。同时,基于Intel 3技术的下一代数据中心产品Granite Rapids的研发也在稳步推进中。这些技术上的重大突破无疑为英特尔在全球半导体竞争中占据了有利地位。

根据协议规定,英特尔将负责完成Fab 34的后续扩建工作,并确保从合资企业中为自身及外部客户采购晶圆。此外,英特尔还承诺在工厂基本完工后对晶圆需求做出最低数量保证,这进一步体现了其对未来市场需求的信心和承诺。

业内专家分析认为,此次股权出售是英特尔战略转型的重要一步。通过此次交易,英特尔不仅获得了宝贵的资金支持,更得以在全球范围内优化资源配置,加速技术创新和市场拓展。这无疑将为英特尔在激烈的半导体竞争中注入新的活力,并有望推动整个集成电路行业的持续发展与进步。


国内部分企业动态


江苏路芯半导体项目封顶6月6日

6月6日,江苏路芯半导体技术有限公司新建厂房及配套设施项目封顶仪式顺利举行。

据悉,路芯半导体项目位于苏州工业园区,此前消息称显示,拟投资20亿元,占地面积74亩,建成后具备年产约35000片半导体掩膜版生产能力,技术节点达到28nm,可广泛应用于高性能计算、人工智能、移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车等众多产业涉及的集成电路半导体芯片制造、封装等领域。项目分两期建设,一期规划生产45nm及以上的节点掩膜版;二期规划生产28nm及以上的节点掩膜版,预计2025年实现量产。

资料显示,江苏路芯半导体技术有限公司成立于2023年5月18日,是一家专注于半导体掩膜版研发与生产的科技公司,拥有130nm-28nm制程节点的半导体掩膜版产线。未来重点定位于汽车和通信领域的高端模拟芯片,补齐国内高端芯片的短板。


盛剑环境国产半导体制程附属设备及关键零部件项目封顶6月6日)

6月6日,盛剑环境国产半导体制程附属设备及关键零部件项目举行封顶仪式。

据悉,项目预计总投资金额为人民币6亿元。为保障本次项目的实施,盛剑环境对外投资设立子公司盛剑半导体作为项目实施主体,旨在打造一个集研发、制造、销售和维保服务为一体的国产先进半导体附属装备平台,致力于完善国产半导体领域产业链生态,提升半导体制程附属装备的高端国产化配套能力,推动半导体装备国产替代率不断提高。

据了解,盛剑环境创立于2005年,是中国高科技产业知名的绿色科技服务商,已形成“绿色厂务系统解决方案、半导体附属装备及核心零部件、电子化学品材料”主营业务三驾马车。


总投资10亿,昕感科技半导体项目落户锡东新城(6月5日)

6月5日,昕感科技第三代半导体功率模块研发生产基地项目签约落户锡东新城。

据悉,此次签约的项目总投资超10亿元,主要建设车规级第三代半导体功率模块封装产线,可同时覆盖汽车主驱、超充桩、光伏、工业等应用场景。项目预计2025年投产,实现满产产能约129万只/年,产值超15亿元/年。

资料显示,昕感科技聚焦于第三代半导体碳化硅功率器件、模块、模组产品的创新突破与研发生产,致力于成为国内领先和具有国际影响力的功率半导体变革引领者。产品广泛应用于光伏储能、新能源汽车、工业控制等领域,是国内为数不多可进行6吋晶圆特色工艺生产的IDM厂商。

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